[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其步骤包括：

1）在衬底上制备栅电极；

2）在衬底正面生成覆盖在所述栅电极之上的栅介质层；

3）在所述栅介质层上连续生成金属氧化物半导体层和在弱酸性或弱碱性溶液中具有高腐蚀速率的透明导电层，并通过光刻和刻蚀形成有源层图形；

4）利用透明导电层和金属氧化物半导体层在弱酸性或弱碱性溶液中的腐蚀速率的差异，形成源漏电极区；

5）生长钝化层并制作电极和互联线。

2.一种薄膜晶体管的制备方法，其步骤包括：

1）在衬底上制备栅电极；

2）在衬底正面生成覆盖在所述栅电极之上的栅介质层；

3）在所述栅介质层上生成金属氧化物半导体层，并通过光刻并刻蚀形成有源层图形；

4）在所述金属氧化物半导体层上生成在弱酸性或弱碱性溶液中具有高腐蚀速率的透明导电层；

5）利用透明导电层和金属氧化物半导体层在弱酸性或弱碱性溶液中的腐蚀速率的差异，形成源漏电极区；

6）生长钝化层并制作电极和互联线。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述栅介质和所述金属氧化物半导体层为透明材料，所述栅电极为金属电极；在形成所述源漏电极区时所用光刻胶为负性光刻胶，在衬底正面所述透明导电层上涂布该负性光刻胶层，然后从衬底的背面以所述栅电极为掩膜进行曝光并显影形成光刻胶图形。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：形成所述源漏电极区时所用光刻胶为正性光刻胶，通过直接对其进行光刻和刻蚀使沟道区露出。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述栅电极为金属薄膜或透明导电薄膜。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述透明导电层上通过光刻和刻蚀形成有源层图形之前，在所述透明导电层上形成一层掩膜层，然后在该掩膜层上涂布光刻胶并进行光刻和刻蚀。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为下列中的一种：氧化铟镓锌、氧化锡、氧化铟、氧化鎘铟、掺锑氧化锡、掺氟氧化锡、氧化铟锡。

8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述透明导电层为下列中的一种：氧化锌、氧化锌铝、氧化锌硼。

9.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述金属氧化物半导体层和所述透明导电层采用磁控溅射方法形成。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法制备的金属氧化物半导体薄膜晶体管。