[发明专利]一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其步骤包括：

1）在衬底上淀积一高电阻率金属氧化物半导体层，以及一低电阻率金属氧化物层，形成双层沟道；

2）光刻和刻蚀所述双层沟道，形成有源区图形；

3）在所述双层沟道上形成栅介质层；

4）在所述栅介质层上淀积栅极导电层；

5）光刻和刻蚀所述栅极导电层和所述栅介质层，分别形成栅电极和栅介质图形；

6）在整个衬底上淀积一层含H覆盖层，然后对其进行热处理，使H扩散进入未被栅电极和栅介质所覆盖的沟道区外的金属氧化物中，形成重掺杂的低电阻率源漏区；

7）光刻和刻蚀所述含H覆盖层，形成接触孔；

8）淀积导电层，并通过光刻和刻蚀形成接触电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述高电阻率金属氧化物半导体层的厚度为10nm～200nm，所述低电阻率金属氧化物层的厚度≤15nm。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述高电阻率金属氧化物半导体层材料为非晶、微晶或多晶结构材料，所述低电阻率金属氧化物层为半导体或导体。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述含H覆盖层为SiN_x或SiO_x，其厚度为50nm～300nm，采用等离子体增强化学气相淀积方法形成。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热处理的温度为100℃～350℃。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于：所述衬底为玻璃衬底或柔性衬底。

7.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于：在所述衬底上淀积一缓冲层，然后制作所述双层沟道。

8.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于：所述栅介质层为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪或有机介质等材料，采用等离子增强化学气相淀积、原子层淀积、磁控溅射、反应溅射或旋涂方法形成，其厚度为100nm～400nm；所述栅介质层为单层栅介质，或者是双层或多层介质材料形成的复合栅介质。

9.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于：所述栅电极为金属或非金属导电材料，其厚度为50nm～300nm；所述接触电极为金属或非金属导电材料，其厚度为100nm～300nm。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法制作的自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管。