[发明专利]一种N型高效异质结电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310232605.9 申请日: 2013-06-09
公开(公告)号: CN103337530A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 张东升;赵会娟 申请(专利权)人: 国电光伏有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 214213 江苏省无锡市宜兴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高效 异质结 电池 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种N型高效异质结电池,其特征在于:该电池结构由下而上依次包括背电极(1)、第一ITO层(2)、第一绒面层(3)、N型单晶硅基片(4)、第二绒面层(5)、量子点结构氮化硅层(6)、非晶P层(7)、第二ITO层(8)和正电极(9)。

2.根据权利要求1所述的N型高效异质结电池,其特征在于:所述量子点结构氮化硅层(6)的厚度为5~7nm

3.根据权利要求1所述的N型高效异质结电池,其特征在于:所述第一绒面层(3)和第二绒面层(5)为金字塔绒面结构。

4.根据权利要求3所述的N型高效异质结电池,其特征在于:所述金字塔绒面结构高度为4~6μm。

5.根据权利要求1所述的N型高效异质结电池,其特征在于:所述第一ITO层(2)和第二ITO层(8)厚度为100nm。

6.一种N型高效异质结电池的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

(a)在N型单晶硅基片上制备金字塔绒面结构;

(b)采用等离子体增强化学气相沉积技术在基片上的一侧制备含有硅量子点结构的氮化硅薄膜,通入的气体流量为NH3:800sccm,SiH4:1000sccm,基片温度:180~200℃,等离子体的射频功率为55W,腔体压强为1×10-2Torr;

(c)采用等离子体增强化学气相沉积技术在氮化硅薄膜上沉积P型非晶硅薄膜,通入的气体流量为:SiH4:800sccm,B2H6/H2:4600sccm,H2:5100sccm,CH4:500sccm,射频功率3000W,基片温度在190~210℃之间;

(d)采用磁控溅射技术在电池片的正、背面镀上第一ITO层和第二ITO层;

采用丝网印刷技术在电池片的正、背面印上银电极。

7.根据权利要求5所述的N型高效异质结电池的制造方法,其特征在于:所述步骤(a)制备金字塔结构时,所用化学溶剂为氢氧化钠、制绒添加剂TCS和去离子水,体积比NaOH:TCS:去离子水=5.3:15:156.13。

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