[发明专利]台阶型微凸点结构及其制备方法

权利要求书

1.一种台阶型微凸点结构，包括基板体（110）及位于所述基板体（110）上的连接电极层（111）、钝化层（112）及凸点下金属化层（113）；所述凸点下金属化层（113）上设有金属柱（220）；其特征是：所述金属柱（220）至少包括第一柱体层（221）及位于所述第一柱体层（221）上的第二柱体层（222）；所述第一柱体层（221）与凸点下金属化层（113）电连接，第二柱体层（222）与第一柱体层（221）间形成台阶；第二柱体层（222）的上方设有阻挡金属层（330），所述阻挡金属层（330）上设有焊料帽（400）。

2.根据权利要求1所述的台阶型微凸点结构，其特征是：所述第二柱体层（222）的外径小于第一柱体层（221）的外径，以使得第一柱体层（221）与第二柱体层（222）间形成台阶。

3.根据权利要求1或2所述的台阶型微凸点结构，其特征是：所述阻挡金属层（330）位于第二柱体层（222）的顶端，焊料帽（400）通过阻挡金属层（330）与第二柱体层（222）电连接。

4.根据权利要求1所述的台阶型微凸点结构，其特征是：所述阻挡金属层（330）的材料包括Ni。

5.根据权利要求1所述的台阶型微凸点结构，其特征是：所述基板体（110）为封装芯片或硅转接板。

6.一种台阶型微凸点结构的制备方法，其特征是，所述微凸点结构的制备方法包括如下步骤：

（a）、提供基板体（110），并在所述基板体（110）上设置连接电极层（111）、钝化层（112）及凸点下金属化层（113），所述凸点下金属化层（113）通过连接电极层（111）与基板体（110）电连接；

（b）、在上述凸点下金属化层（113）上设置第一柱体层（221），所述第一柱体层（221）与凸点下金属化层（113）电连接；

（c）、在上述第一柱体层（221）上设置用于与第一柱体层（221）形成所需台阶的柱体结构，所述柱体结构至少包括第二柱体层（222）；

（d）、在上述主体结构上设置阻挡金属层（330）；

（e）、在上述阻挡金属层（330）上设置与阻挡金属层（330）相匹配的焊料帽（400）。

7.根据权利要求6所述台阶型微凸点结构的制备方法，其特征是：所述第二柱体层（222）的外径小于第一柱体层（221）的外径。

8.根据权利要求6所述台阶型微凸点结构的制备方法，其特征是：所述第一柱体层（221）通过电镀设置在凸点下金属化层（113）上。

9.根据权利要求6所述台阶型微凸点结构的制备方法，其特征是：所述基板体（110）为封装芯片或硅转接板。

10.根据权利要求6所述台阶型微凸点结构的制备方法，其特征是：所述钝化层（112）包括氮化硅层。