[发明专利]自对准双图形工艺有效
| 申请号： | 201310232002.9 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104241099B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 何其暘;尚飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 图形 工艺 | ||
1.一种自对准双图形工艺，包括步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成待刻蚀层和按第一密度分布的第一掩膜层图形；
在所述待刻蚀层的表面以及第一掩膜层图形的顶面和侧面形成第二掩膜层；
刻蚀去除所述第一掩膜层以及其顶面的第二掩膜层和形成在所述待刻蚀层表面的部分第二掩膜层，得到第二掩膜层图形，所述第二掩膜层图形按第二密度分布；
以所述第二掩膜层图形为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，形成待刻蚀层条；
在所述半导体衬底以及第二掩膜层图形的表面形成保护层；
以所述保护层为掩膜，刻蚀去除第二掩膜层图形的两端，使第二掩膜层图形彼此独立；
去除所述保护层；
其中，在形成保护层之后，刻蚀去除第二掩膜层图形的两端之前，采用回刻蚀去除部分保护层。
2.如权利要求1所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述第一密度小于第二密度。
3.如权利要求1所述的自对准双图形工艺，其特征在于，在刻蚀所述待刻蚀层之后，形成所述保护层之前，在所述待刻蚀层条之间形成侧墙。
4.如权利要求3所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述侧墙的材质为氮化硅、氧化硅或氮化硅与氧化硅的组合。
5.如权利要求1所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述回刻蚀为干法刻蚀或湿法刻蚀。
6.如权利要求1所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述保护层为有机物或介电质。
7.如权利要求6所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述有机物的材质为底部抗反射层或光阻。
8.如权利要求7所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述有机物采用旋涂方式形成。
9.如权利要求8所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述介电质的材质为氧化硅、氮化硅或碳化硅。
10.如权利要求9所述的自对准双图形工艺，其特征在于，在形成保护层之后，采用回刻蚀之前，使用化学机械研磨工艺对所述保护层进行研磨。
11.如权利要求9所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述介电质采用化学气相沉积方式形成。
12.如权利要求1所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述半导体衬底中设有浅沟槽隔离。
13.如权利要求1所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述第一掩膜层的材质为光阻。
14.如权利要求1所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述第二掩膜层的材质为氮化硅。
15.如权利要求1所述的自对准双图形工艺，其特征在于，所述待刻蚀层的材质为多晶硅。
16.如权利要求1所述的自对准双图形工艺，其特征在于，采用灰化工艺或刻蚀工艺去除所述保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
