[发明专利]具有高透射率结构的透明导电氧化物层及其制造方法有效
申请号: | 201310231580.0 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN104037247B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 陈世伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 透射率 结构 透明 导电 氧化物 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
太阳能电池子结构,包括设置在衬底上方的吸收层;以及
透明导电氧化物(TCO)层,设置在所述太阳能电池子结构上方,所述透明导电氧化物层包括其中设有多个独立的间隔开的结构的透明导电氧化物膜,并且所述独立的间隔开的结构具有比所述透明导电氧化物膜更高的可吸收辐射的透射率,其中,所述独立的间隔开的结构包括穿孔和高透射率颗粒中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述透明导电氧化物膜包括选自由掺铝ZnO、掺镓ZnO、掺铝镓ZnO、掺硼ZnO、掺铟CdO、铟锡氧化物、掺氟SnO以及它们的组合所组成的组。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述独立的间隔开的结构具有至少800nm的最小截面尺寸。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述独立的间隔开的结构具有100微米以下的最大截面尺寸。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述透明导电氧化物层的导电率至少为5×103S/cm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述透明导电氧化物层的电阻率为5×10-4Ω·cm以下。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述透明导电氧化物层的透射率相对于可比较的同质透明导电氧化物膜的透射率至少增加5%。
8.一种用于形成太阳能电池的方法,包括:
提供太阳能电池子结构,所述太阳能电池子结构包括设置在衬底上方的吸收层;以及
形成设置在所述太阳能电池子结构上方的透明导电氧化物(TCO)层,其中,所述透明导电氧化物层包括其中设有多个间隔开的高透射率结构的透明导电氧化物膜,并且所述透明导电氧化物层具有比可比较的同质透明导电氧化物膜更高的可吸收辐射的透射率,其中,所述间隔开的高透射率结构选自由颗粒、穿孔以及它们的组合所组成的组。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述透明导电氧化物层的透射率相对于所述可比较的同质透明导电氧化物膜的透射率至少增加5%。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,形成所述透明导电氧化物层包括:
在所述子结构上方沉积多个间隔开的部件;以及
在所述间隔开的部件之间沉积所述透明导电氧化物膜。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述间隔开的部件选自由颗粒、突出物、生长抑制剂以及它们的组合所组成的组。
12.根据权利要求10所述的方法,进一步包括:去除所述间隔开的部件。
13.根据权利要求10所述的方法,其中,所述间隔开的部件包括生长抑制剂,并且沉积所述透明导电氧化物膜包括采用金属有机物化学汽相沉积工艺生长所述透明导电氧化物膜。
14.根据权利要求10所述的方法,其中,所述间隔开的部件包括透射率大于所述透明导电氧化物膜的透射率的颗粒。
15.根据权利要求10所述的方法,其中,所述间隔开的部件包括透射率小于所述透明导电氧化物膜的透射率的颗粒或突出物。
16.根据权利要求10所述的方法,其中,所述间隔开的部件是颗粒,并且沉积所述多个间隔开的部件包括:
形成含有悬浮在溶剂中的所述颗粒的溶液;
在所述子结构上方涂覆所述溶液;以及
去除所述溶剂。
17.根据权利要求10所述的方法,其中,所述间隔开的部件是突出物,并且所述方法进一步包括通过蚀刻去除所述突出物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的