[发明专利]一种制备自封闭纳米通道的方法

权利要求书

1.一种制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A：对衬底进行清洗并烘干，在清洗好的衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层；

步骤B：在所述自封闭层上采用光刻的方法制备相应的光刻胶图形；

步骤C：采用干法刻蚀的方法将光刻胶图形转移到所述自封闭层上，并去除残胶；

步骤D：对所述牺牲层进行湿法腐蚀处理；

步骤E：在去离子水中浸泡；

步骤F：用氦气枪吹干，自封闭层自封闭得到纳米通道。

2.根据权利要求1所述的制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，在步骤A中，对衬底的清洗采用丙酮、酒精、二次去离子水水三步超声水洗，且每步清洗的时间为3-5分钟。

3.根据权利要求1所述的制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，在步骤A中，所述支撑层、自封闭层均为SiN薄膜，牺牲层为Si薄膜。

4.根据权利要求1所述的制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，所述支撑层的厚度为200-500nm，自封闭层的厚度为35-50nm，牺牲层的厚度为5-500nm。

5.根据权利要求1所述的制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，在步骤B中，所述光刻的方法为紫外光刻、电子束曝光、激光直写或纳米压印。

6.根据权利要求1所述的制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，在步骤C中，所述干法刻蚀的方法为反应离子刻蚀技术或感应耦合等离子刻蚀。

7.根据权利要求1所述的制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，在步骤D中，所述湿法腐蚀处理中采用的溶液为仅对牺牲层进行腐蚀，对支撑层和自封闭层不会造成腐蚀的溶液，且在湿法腐蚀处理中通过控制腐蚀温度和/或腐蚀时间控制牺牲层的腐蚀量。

8.根据权利要求3所述的制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，湿法腐蚀处理中采用的用溶液为KOH溶液。

9.根据权利要求1所述的制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，在步骤E中，在去离子水中浸泡时，需去除残留的腐蚀性溶液。

10.根据权利要求1所述的制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，所述衬底为硅或石英玻璃结构，采用CVD方法在所述衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层。