[发明专利]电流镜电路与半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310231250.1 申请日: 2013-06-09
公开(公告)号: CN103809652A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 大元文一;钱佳驹;张华享;陈正熙 申请(专利权)人: 普诚科技股份有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台湾台北县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电流 电路 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种电流镜电路,其特征在于,用以接收一输入电流并根据该输入电流输出多个镜电流,该电流镜电路包括:

一电流产生电路,该电流产生电路包括:一输入端,接收该输入电流;一第一输出端,根据该输入电流输出一第一镜电流;以及至少一第二输出端,根据该输入电流输出至少一第二镜电流;

一第一晶体管,其中该第一晶体管的控制端与第一端连接至该电流产生电路的该第一输出端,该第一晶体管的第二端连接至一第一参考电压;

至少一第二晶体管,其中该至少一第二晶体管的控制端与第一端连接至该电流产生电路的该至少一第二输出端,该至少一第二晶体管的第二端连接至该第一参考电压;以及

多个第三晶体管,从所述第三晶体管的第一端输出所述镜电流,其中所述第三晶体管的控制端连接至该电流产生电路的该第一输出端以及该至少一第二输出端,所述第三晶体管的第二端连接至该第一参考电压;

其中,该第一晶体管、该至少一第二晶体管以及所述第三晶体管为相同。

2.根据权利要求1所述的电流镜电路,其特征在于,该第一晶体管、该至少一第二晶体管以及所述第三晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管。

3.根据权利要求1所述的电流镜电路,其特征在于,该第一晶体管、该至少一第二晶体管以及所述第三晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管。

4.一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置包括一主电路以及一从属电路,该主电路包括一定电流源以及一第一电流镜电路,该定电流源产生一输入电流,该第一电流镜电路接收该输入电流并根据该输入电流输出多个主镜电流,且包括:

一第一电流产生电路,该第一电流产生电路包括:一第一输入端,接收该输入电流;一第一输出端,根据该输入电流输出一第一镜电流;至少一第二输出端,根据该输入电流输出至少一第二镜电流;以及第三输出端,根据该输入电流输出一第三镜电流;

一第一晶体管,其中该第一晶体管的控制端与第一端连接至该第一电流产生电路的该第一输出端,该第一晶体管的第二端连接至一第一参考电压;

至少一第二晶体管,其中该至少一第二晶体管的控制端与第一端连接至该第一电流产生电路的该至少一第二输出端,该至少一第二晶体管的第二端连接至该第一参考电压;以及

多个第三晶体管,从所述第三晶体管的第一端输出所述主镜电流,其中所述第三晶体管的控制端连接至该第一电流产生电路的该第一输出端以及该至少一第二输出端,所述第三晶体管的第二端连接至该第一参考电压;

该从属电路包括一第二电流镜电路,该第二电流镜电路根据该输入电流输出多个从属镜电流,且包括:

一第二电流产生电路,该第二电流产生电路包括:一第二输入端,连接至该第一电流产生电路的第三输出端;一第四输出端,根据该第三镜电流输出一第四镜电流;以及至少一第五输出端,根据该第三镜电流输出至少一第五镜电流;

一第四晶体管,其中该第四晶体管的控制端与第一端连接至该第二电流产生电路的该第四输出端,该第四晶体管的第二端连接至该第一参考电压;

至少一第五晶体管,其中该至少一第五晶体管的控制端与第一端连接至该第二电流产生电路的该至少一第五输出端,该至少一第二晶体管的第二端连接至该第一参考电压;以及

多个第六晶体管,从所述第六晶体管的第一端输出所述从属镜电流,其中所述第六晶体管的控制端连接至该第二电流产生电路的该第四输出端以及该至少一第五输出端,所述第三晶体管的第二端连接至该第一参考电压;

其中,该第一晶体管、该至少一第二晶体管、所述第三晶体管、该第四晶体管、该至少一第五晶体管以及所述第六晶体管为相同。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,该第一晶体管、该至少一第二晶体管、所述第三晶体管、该第四晶体管、该至少一第五晶体管以及所述第六晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管。

6.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,该第一晶体管、该至少一第二晶体管、所述第三晶体管、该第四晶体管、该至少一第五晶体管以及所述第六晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管。

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