[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，具有顶面和底面，其特征在于，所述半导体器件包含：

半导体初始层，所述半导体初始层具有第一导电类型；

阱区，形成于所述半导体初始层的一部分之上，所述阱区具有第二导电类型，所述阱区包含至少两个阱区部分，所述半导体初始层的一部分位于所述两个阱区部分之间并延伸到所述器件顶面；

分离沟槽栅结构，包含一个屏蔽电极和两个栅电极，其中所述屏蔽电极的大部分位于两个栅电极的下方，所述屏蔽电极的剩余部分位于两个栅电极之间并延伸到所述器件顶面；

源区，形成于阱区之内，所述源区紧靠所述分离沟槽栅结构，所述源区具有第一导电类型；和

源金属层，在所述器件顶面与所述初始层、所述阱区、所述屏蔽电极和所述源区接触，其中所述源金属层与所述初始层在所述器件顶面接触形成一肖特基二极管。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源金属层与位于所述器件顶面的所述初始层、所述阱区、所述屏蔽电极以及所述源区完全接触。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述分离沟槽栅结构进一步包括绝缘材料层，其中所述分离沟槽栅结构的侧墙和底部覆盖所述绝缘材料层，所述屏蔽电极和所述两个栅电极被所述绝缘材料层相互隔离。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有连续结构，所述连续结构在水平面上沿着垂直于分离沟槽栅结构走向的延伸方向复制，其中每个所述分离沟槽栅结构在所述延伸方向上位于相邻两个所述阱区之间。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，每个所述肖特基二极管在所述延伸方向上位于相邻两个所述分离沟槽栅结构之间。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述肖特基二极管位于所述两个阱区部分之间。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阱区部分紧靠所述肖特基二极管的阳极，所述阱区部分靠近所述肖特基二极管的边缘部分轮廓为曲线。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽电极和所述栅电极由多晶硅构成。

9.一种半导体器件，具有顶面和底面，其特征在于所述半导体器件包含：

分离沟槽栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，所述分离沟槽栅MOSFET包含漏区、源区、体区、分离沟槽栅结构和源金属层，其中所述分离沟槽栅结构具有一个屏蔽电极和两个栅电极，所述屏蔽电极的一部分位于所述两个屏蔽电极之间并延伸到所述器件顶面，所述源金属层在所述顶面与所述源区、体区和屏蔽电极接触；以及

肖特基二极管，形成于所述分离沟槽栅MOSFET旁，其中所述肖特基二极管的阳极由所述源金属层的一部分构成。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有连续结构，其中所述连续结构在水平面上沿着垂直于分离沟槽栅结构走向的延伸方向复制，所述每个分离沟槽栅结构在所述延伸方向上位于两个相邻的体区之间。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于所述体区包含两个体区部分，其中在水平面上，所述肖特基二极管在沿分离沟槽栅结构的走向上位于两个所述体区部分之间，所述肖特基二极管在所述延伸方向上位于相邻两个所述分离沟槽栅结构之间。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述分离沟槽栅结构进一步包含绝缘材料层，所述分离沟槽栅结构的侧墙和底部被所述绝缘材料层所覆盖，所述屏蔽电极和所述栅电极被所述绝缘材料层相互隔开。