[发明专利]获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法有效
| 申请号： | 201310229132.7 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103266354A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 李飞;张树君;李振荣;徐卓 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B30/02 | 分类号： | C30B30/02 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人： | 李中群 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 获得 单畴弛豫铁电单晶 极化 方法 | ||
1.一种获得单畴四方相弛豫铁电单晶的极化方法，其特征在于包括下述的极化工艺步骤：
1.1以5℃/min的速度，将四方相晶体加热至TT1，TT1高于该晶体的居里温度20℃～30℃；
1.2在TT1温度保温5分钟，同时在晶体上施加沿[001]方向直流电场，其电场强度ET1=1～5kV/cm；
1.3在带电场的情况下，对晶体以-2℃/min的速度缓慢降温至TT2，TT2低于该晶体的居里温度10℃～20℃；
1.4以-5℃/min的速度，将晶体带场降温至室温，取出晶体，获得极化的四方相弛豫铁电单畴晶体。
2.根据权利要求1所述的获得单畴四方相弛豫铁电单晶的极化方法，其特征在于：所说的TT1高于该晶体的居里温度25℃～28℃，所说的电场强度ET1=2～3kV/cm，所说的TT2低于该晶体的居里温度12℃～18℃。
3.一种获得单畴三方相弛豫铁电单晶的极化方法，其特征在于包括下述的极化工艺步骤：
3.1以5℃/min的速度，将三方相晶体加热至TR1，TR1高于该晶体的居里温度20℃～30℃；
3.2在TR1温度保温5分钟，同时在晶体上施加沿[111]方向直流电场，其电场强度ER1=10～20kV/cm；
3.3在带电场的情况下，对晶体以-2℃/min的速度缓慢降温至TR-T=85℃～130℃；
3.4减低电场强度至ER2=1～5kV/cm，以-5℃/min的速度，将晶体带场降温至室温，取出晶体，获得极化的三方相弛豫铁电单畴晶体。
4.根据权利要求3所述的获得单畴三方相弛豫铁电单晶的极化方法，其特征在于所说的TR1高于该晶体的居里温度25℃～28℃，所说的电场强度ER1=12～15kV/cm，所说的电场强度ER2=2～3kV/cm，所说的TR-T=95℃～120℃。
5.一种获得单畴正交相弛豫铁电单晶的极化方法，其特征在于包括下述的极化工艺步骤：
5.1以5℃/min的速度，将三方相晶体加热至TO1，TO1高于该晶体的居里温度20℃～30℃；
5.2在TO1温度保温5分钟，同时在晶体上施加沿[011]方向直流电场，其电场强度EO1=10～20kV/cm；
5.3在带电场的情况下，对晶体以-2℃/min的速度缓慢降温至TO-T=45℃～85℃；
5.4减低电场强度至EO2=1～5kV/cm，同时以-5℃/min的速度，将晶体带场降温至室温，取出晶体，获得极化的正交相弛豫铁电单畴晶体。
6.根据权利要求5所述的获得单畴正交相弛豫铁电单晶的极化方法，其特征在于所说的TO1高于该晶体的居里温度25℃～28℃，所说的电场强度EO1=12～15kV/cm，所说的EO2=2～3kV/cm，所说的TO-T=40℃～80℃。
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