[发明专利]静电吸盘的制造方法，静电吸盘及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种静电吸盘的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

制造静电吸盘的主体部和基座；以及

将所述主体部和所述基座连接为一体以形成所述静电吸盘；

其中制造所述主体部的步骤包括：

形成陶瓷基板；

在所述陶瓷基板上沉积具有薄膜电极和第一绝缘层的多层薄膜结构，所述第一绝缘层位于所述陶瓷基板上表面，所述薄膜电极位于所述第一绝缘层上方；

在所述多层薄膜结构上沉积抗等离子体侵蚀的保护层；以及

图形化所述保护层的上表面以在所述保护层的上表面形成包含沟槽的图案，以形成所述静电吸盘的主体部；

其中在沉积所述多层薄膜结构之后或在图形化所述保护层的上表面之后去除所述陶瓷基板，以使所述主体部仅由所述多层薄膜结构和所述保护层组成。

2.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过磨削方法去除所述陶瓷基板。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料选自陶瓷或IIIB族金属化合物或陶瓷及IIIB族金属化合物的组合物。

4.根据权利要求2所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化钇或氧化钇/氧化铝的复合材料。

5.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过增强型等离子体物理沉积形成所述保护层。

6.根据权利要求5所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为大于等于0.1毫米。

7.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层包覆所述多层薄膜结构的侧壁。

8.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过真空镀膜技术形成所述薄膜电极，通过热喷涂形成所述第一绝缘层。

9.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述多层薄膜结构还包括功能层及第二绝缘层，所述功能层用以调节所述静电吸盘的性能，所述第二绝缘层位于所述薄膜电极与所述功能层之间。

10.根据权利要求9所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述功能层为加热层或电阻层。

11.根据权利要求10所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过真空镀膜技术形成所述功能层，通过热喷涂形成所述第二绝缘层。

12.根据权利要求11所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述薄膜电极的材料为金属或金属合金，所述第一绝缘层的材料为陶瓷。

13.根据权利要求12所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述功能层的材料为金属或金属合金，所述第二绝缘层的材料为陶瓷。

14.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述多层薄膜结构还包括加热层及第三绝缘层，所述加热层位于所述第一绝缘层与所述第三绝缘层之间，所述第三绝缘层位于所述薄膜电极下方。

15.根据权利要求14所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过真空镀膜技术形成所述加热层，通过热喷涂形成所述第三绝缘层。

16.根据权利要求14所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述加热层的材料为金属或金属合金，所述第一绝缘层的材料为绝热陶瓷，所述第三绝缘层的材料为导热陶瓷。

17.根据权利要求14所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述多层薄膜结构还包括功能层及第二绝缘层，所述功能层用以调节所述静电吸盘的性能，所述第二绝缘层位于所述薄膜电极与所述功能层之间。