[发明专利]一种MWT晶体硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种MWT晶体硅太阳能电池制备方法，其特征是含以下工序：

（1）采用激光在硅基体上制作导电通孔；

（2）采用酸或碱在开孔之后的硅基体前后表面制绒；

（3）磷或硼扩散，在硅基体前表面形成N⁺或P⁺发射极结构；

（4）在硅基体上下表面生长热二氧化硅；

（5）在硅基体的背面选择性印刷抗HF腐蚀掩膜浆料，在导电通孔周围形成抗HF腐蚀掩膜；

（6）采用HF清洗硅基体前后表面的二氧化硅；

（7）去除抗HF腐蚀掩膜层，露出导电通孔周围的二氧化硅；

（8）在硅基体前表面镀减反射膜作为受光面；

（9）在硅基体的背面印刷灌孔浆料填充导电通孔，在硅基体背面除导电通孔和二氧化硅之外的区域印刷银铝浆形成基极接触电极，其中保证硅基体背面的二氧化硅位于灌孔浆料和银铝浆之间，使灌孔浆料和银铝浆相隔离，且所述二氧化硅分别与所述灌孔浆料和银铝浆相接触，最后在硅基体正面印刷银浆，烧结后形成MWT晶体硅太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的MWT晶体硅太阳能电池制备方法，其特征是：各工序之间顺序可调，其中工序（1）可位于工序（3）之后；或工序（3）可位于工序（4）－（7）之后；或工序（1）可位于工序（8）之后。

3.根据权利要求1或2所述的MWT晶体硅太阳能电池制备方法，其特征是：工序（1）中采用的硅基体为单晶或多晶硅，其电阻率在0.1-10?.cm，厚度在100～300μm。

4.根据权利要求1或2所述的MWT晶体硅太阳能电池制备方法，其特征是：工序（1）中采用激光的平均功率为10～100W、波长为255～1000nm、脉冲频率为10K～100KH、泵浦电流为10～30A。

5.根据权利要求1或2所述的MWT晶体硅太阳能电池制备方法，其特征是：工序（4）中生长热二氧化硅采用干氧生长和/或湿氧生长，二氧化硅的密度为2.0～2.6g/cm³，电阻率> 1e²⁰ ohm.cm，厚度为0.01～10μm。

6.根据权利要求1或2所述的MWT晶体硅太阳能电池制备方法，其特征是：工序（5）中所述的抗HF腐蚀掩膜浆料为Maramask PV-HF 940。

7.根据权利要求1或2所述的MWT晶体硅太阳能电池制备方法，其特征是：工序（6）中常温下采用质量百分含量为1～10%的HF清洗硅基体前后表面的二氧化硅1-10min。

8.根据权利要求1或2所述的MWT晶体硅太阳能电池制备方法，其特征是：工序（7）中采用去离子水超声波去除抗HF腐蚀掩膜层，或者在酸碱的配合下采用去离子水超声波去除抗HF腐蚀掩膜层。

9.根据权利要求1或2所述的MWT晶体硅太阳能电池制备方法，其特征是：工序（8）中前表面减反膜为二氧化硅膜、氮化硅膜和氧化铝膜中的一种或几种，所述减反射膜的厚度为10～100nm，折射率为1.3～3，所述减反射膜采用PECVD法制备而成。

10.根据权利要求1或2所述的MWT晶体硅太阳能电池制备方法，其特征是：工序（9）所述灌孔浆料为杜邦公司生产的专门针对MWT太阳电池的导电浆料PV701。