[发明专利]半导体制造的微影方法

权利要求书

1.一种半导体制造的微影方法，其特征在于，其包括以下步骤：

提供一图案，该图案包含一主动图案以及一虚设图案；

进行一高精密微影制程，以提供至少一第一曝光制程于一基材层上，其中该第一曝光制程在该基材层上形成该图案；以及

进行一低精密微影制程，以提供至少一第二曝光制程于该基材层上，其中该第二曝光制程移除该虚设图案，借以在该基材层上形成该主动图案。

2.根据权利要求1所述的微影方法，其特征在于，在进行所述低精密微影制程之前，进行所述高精密微影制程。

3.根据权利要求1所述的微影方法，其特征在于，在进行所述低精密微影制程之后，进行所述高精密微影制程。

4.根据权利要求1所述的微影方法，其特征在于，所述的高精密微影制程是湿浸式微影制程，而该低精密微影制程是干式微影制程。

5.根据权利要求1所述的微影方法，其特征在于，所述主动图案是一接触孔，且其中该虚设图案是多数个虚设结构，用以提供一光罩上一高密度阵列特征结构，该光罩用以进行该第一曝光制程，其中该高密度阵列特征结构改善该第一曝光制程的一聚焦深度。

6.一种半导体制造的微影方法，其特征在于，其包括：

提供一第一光阻层给一晶圆；

提供一第一罩幕给该晶圆；

以湿浸式微影技术执行一第一曝光制程于该晶圆上，其中该第一曝光制程是利用该第一光阻层与该第一罩幕，该第一曝光制程形成一图案，该图案包括一主动图案；以及

以干式微影技术执行一第二曝光制程于该晶圆上，其中该第二曝光制程是利用该第一光阻层，该第二曝光制程改变该主动图案的一边缘。

7.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，在进行该第一曝光制程之前，进行该第二曝光制程。

8.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，所述的湿浸式微影技术的一数值孔隙大于0.82。

9.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，所述的湿浸式微影技术的一流体包括具有一PH值大于7的一流体。

10.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，所述的湿浸式微影技术包括利用具有一波长不大于250nm的一电磁源。

11.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，所述的第二曝光制程利用到一第二罩幕。

12.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，所述的第二曝光制程没有利用到一罩幕。

13.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，所述的第二曝光制程利用到一光束源。

14.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，所述的第二曝光制程亦利用到一第二光阻层。

15.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，所述的第二曝光制程是使用相位移罩幕用于一开口印刷制程。

16.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，所述的第一与第二曝光制程之后，提供单一次的蚀刻制程于该晶圆上。

17.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，在该第一与第二曝光制程制程之后，分别提供第一与第二蚀刻制程于该晶圆上。

18.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，所述的改变该主动图案的该边缘包含使该主动图案的一角变圆滑。

19.根据权利要求6所述的半导体制造的微影方法，其特征在于，所述的改变该主动图案的该边缘包含为该主动图案提供一直线边缘。

20.一种半导体制造的双重曝光微影方法，其特征在于，其包括：

提供一第一光阻层给一晶圆；

提供一第一罩幕给该晶圆，其中该第一罩幕包含一图案，且该图案包含一主动图案以及一虚设图案；

以湿浸式微影技术执行一第一曝光制程于该晶圆上，其中该第一曝光制程是利用该第一光阻层与该第一罩幕，以及其中用于该湿浸式微影技术的一光束波长不大于193nm，以及其中该湿浸式微影技术的一数值孔隙大于0.75；

对该第一光阻层执行一第一显影制程，以形成对应于该主动图案的一第一光阻特征结构，以及形成对应于该虚设图案的一第二光阻特征结构；

以干式微影技术执行一第二曝光制程于该晶圆上的该第一光阻层上，其中该第二曝光制程使用到一第二罩幕或不使用到罩幕；以及

对该第一光阻层执行一第二显影制程，其中该第二曝光制程及该第二显影制程从该晶圆移除该第二光阻特征结构。