[发明专利]用于半导体芯片封装的低模量丙烯酸酯导电胶及制备方法

权利要求书

1.一种用于半导体芯片封装的低模量丙烯酸酯导电胶，由以下重量配比的成分组成：

2.根据权利要求1所述的用于半导体芯片封装的低模量丙烯酸酯导电胶，其特征在于，所述微米级银粉为选自片状微米级银粉、球状微米级银粉、树枝状微米级银粉或不规则形状微米级银粉中的任意一种或几种，所述微米级银粉粒径范围为0.5微米～100微米。

3.根据权利要求1所述的用于半导体芯片封装的低模量丙烯酸酯导电胶，其特征在于，所述丙烯酸酯类单体选自丁二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、二缩三乙二醇二丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯、三缩四乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯和烷氧化己二醇二丙烯酸酯中的任意一种或几种。

4.根据权利要求1所述的用于半导体芯片封装的低模量丙烯酸酯导电胶，其特征在于，所述丙烯酸酯类齐聚物选自柔性聚酯丙烯酸酯齐聚物、柔性聚酯甲基丙烯酸酯齐聚物、柔性聚醚丙烯酸酯齐聚物、柔性聚醚甲基丙烯酸酯齐聚物、柔性环氧丙烯酸酯齐聚物、柔性环氧甲基丙烯酸酯齐聚物、柔性聚氨酯丙烯酸酯齐聚物、柔性聚氨酯甲基丙烯酸酯齐聚物中的任意一种或几种。

5.根据权利要求1所述的用于半导体芯片封装的低模量丙烯酸酯导电胶，其特征在于，所述引发剂为过氧化酮、过氧化二酰、过氧化酯、过氧化缩酮和过氧化碳酸酯中的任意一种或几种。

6.根据权利要求1所述的用于半导体芯片封装的低模量丙烯酸酯导电胶，其特征在于，所述偶联剂为γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷与选自γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三异丙氧基硅烷和γ-甲基丙烯酰氧基甲基二甲氧基硅烷中的一种或几种的混合物。

7.一种制备用于半导体芯片封装的低模量丙烯酸酯导电胶的方法，包括以下步骤：

按照权利要求1所述的成分组成重量配比进行；

(1)将丙烯酸酯类单体和丙烯酸酯类齐聚物在5-35℃下混合15-45分钟，再加入引发剂和偶联剂，室温下混合30分钟成为均匀的初级混合物；

(2)将银粉分别加入步骤(1)制得的初级混合物中，于室温下施加真空，混合30分钟～60分钟使其成为均匀的最终混合物。