[发明专利]LED发光基片、LED芯片COB封装结构及采用该结构的LED灯有效
| 申请号： | 201310225255.3 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104218137B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈宗烈 | 申请（专利权）人： | 江苏豪迈照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/42;H01L33/60;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 陈源,崔利梅 |
| 地址： | 224700 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 发光 芯片 cob 封装 结构 采用 | ||
1.一种LED发光基片(10)，其包括：
连接阳极(A+)的P型半导体层(P)；
连接阴极(A-)的N型半导体层(N)；以及
形成在所述P型半导体层和N型半导体层之间的发光PN结层(102)；其特征在于，
所述的阴极(A-)是透明电极并通过导电的透光衬底层(T)与所述的N型半导体层结合；以及
所述透光衬底层为由不透明芯片衬底形成的厚度达分子尺寸级的透光衬底层。
2.一种LED芯片COB封装结构，包括：
一个或多个LED发光基片(10)，每个LED发光基片包括：
连接阳极(A+)的P型半导体层(P)；
连接阴极(A-)的N型半导体层(N)；以及
形成在所述P型半导体层和N型半导体层之间的发光PN结层(102)；其中，
所述的阴极(A-)是透明电极并通过导电的透光衬底层(T)与所述的N型半导体层结合；以及
所述透光衬底层为由不透明芯片衬底形成的厚度达分子尺寸级的透光衬底层；以及
透光基板(110)，其用于承载所述一个或多个LED发光基片(10)，所述透光基板(110)的一侧与所述一个或多个LED发光基片(10)的阴极(A-)结合，另一侧与一反光结构层(R)结合。
3.根据权利要求2的LED芯片COB封装结构，其中：
所述的透光基板(110)是由厚度在1mm至2mm之间的透光多晶氧化铝(PCA)、高硼硅玻璃或高导热高分子材料构成，并且所述的反光结构层(R)与所述的LED发光基片(10)之间存在确定的对应几何位置关系。
4.根据权利要求2的LED芯片COB封装结构，其中：
所述的反光结构层(R)具有规则凹凸起伏几何形反射面。
5.根据权利要求4的LED芯片COB封装结构，其中：
所述的反射面是斜面、曲面之一。
6.根据权利要求5所述的LED芯片COB封装结构，其中：
所述的曲面是锥面。
7.根据权利要求4的LED芯片COB封装结构，其中：
所述的反射面是金属材料或非金属材料形成的反射镀膜。
8.根据权利要求7的LED芯片COB封装结构，其中：
所述的反射镀膜使用的金属材料是铝、铬、镍或金属复合材料硫化锌、氟化镁之一，所述的非金属材料是陶瓷粉、氧化硅之一。
9.一种LED灯，其特征在于，
其中采用的LED芯片具有上述权利要求2-8任意之一的LED芯片COB封装结构。
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