[发明专利]一种热处理反应管构件

说明书

技术领域

本发明涉及硅片热处理技术领域，尤其涉及立式批处理的热处理反应管构件。

背景技术

目前，在硅片热处理装置中，主要由加热器、反应管、硅片支撑装置等部件构成，硅片支撑装置放置于反应管内，硅片水平间隔地放在硅片支撑装置上，反应管的端部，通常为顶部，设置有工艺气体的进气口，在另一端，通常为底部设置有工艺气体的排气口，在工艺气体与硅片接触的过程中，工艺气体在硅片表面发生反应，完成所需的热处理工艺。

现有技术因为进气口位于顶部，排气口位于底部，反应气体在反应管内的运行距离不相同，使得热处理反应管内的进排气不能均匀分布，导致反应管内的硅片不能最大限度的同等的接触反应气体，影响了硅片膜层厚度的均匀性。

因此，针对以上不足，本发明提供了一种热处理反应管构件。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明的目的是解决硅片在热反应处理过程中所形成的硅片膜层厚度不均匀的问题。

（二）技术方案

为了解决上述硅片在热反应处理过程中所形成的硅片膜层厚度不均匀的技术问题，本发明提供了一种热处理反应管构件，所述热处理反应管构件包括热处理反应管和进排气装置，所述热处理反应管内具有反应管腔室，所述进排气装置包括进气装置和排气装置，所述进气装置与反应管腔室连通，所述进气装置包括一支以上进气扩散管、一支以上与进气扩散管相连通的进气导流管，所述排气装置包括一支以上排气集散管、一支以上与排气集散管相连通的排气导流管，所述排气装置通过一个以上排气孔连通反应管腔室，所述排气孔上覆盖有排气均流板。

所述进气装置和排气装置环绕在热处理反应管的管壁的外侧，所述进气扩散管及排气集散管沿热处理反应管的轴线方向排列，所述进气导流管分别连通相邻的两个进气扩散管，所述排气导流管分别连通相邻的两个排气集散管。

所述进排气装置上设置有进气口和排气口，所述进气口和排气口分别连通邻近的进气扩散管和排气集散管。

所述进气装置和排气装置分别位于热处理反应管的两侧，反应气体自进气口沿进气装置的任一路径进入到反应管腔室的路程等长。

所述进气口和排气口被设置于热处理反应管的一端，所述进气口和排气口分别通过进气连接管和排气连接管连通邻近的进气扩散管和排气集散管。

所述进气口和排气口分别通过进气束管和排气束管连通邻近的进气扩散管和排气集散管。

所述排气均流板的纵向两侧与热处理反应管的管壁之间具有用于气流通过的空隙。

所述排气均流板的截面为圆弧形结构。

所述进气装置通过一个以上的进气孔与反应管腔室连通，反应气体通过进气孔从反应管腔室内进入。

所述进气孔的排列方向平行于热处理反应管的轴线。

所述进气装置通过镶嵌于热处理反应管管壁上的多孔介质与反应管腔室连通，反应气体从多孔介质进入反应管腔室。

所述多孔介质平行于热反应处理管的轴线，且多孔介质的两端微小孔隙的密度大于中部微小孔隙的密度。

（三）有益效果

本发明的上述技术方案具有如下优点：通过在热处理反应管的侧面设置进排气体装置，所述进排气装置具有多条管路，使得反应气体经过任一通道所走的距离都相同，热处理反应管的进排气均匀分布，从而改善热处理反应管内气体流场的分布，使得工艺硅片能够最大限度地同等地接触反应气体，形成较为均匀的膜厚。

附图说明

图1是本发明所述的热处理反应管构件的结构图；

图2是本发明所述的热处理反应管构件的进气孔的结构图；

图3是本发明所述的热处理反应管构件的多孔介质的结构图；

图4是本发明实施例1所述的热处理反应管构件的剖视图；

图5是本发明实施例2所述的热处理反应管构件的剖视图。

图中：1：进气口；2：排气口；3：进气孔；4：排气孔；5：排气均流板；6：进气扩散管；7：排气集散管；8：进气导流管；9：排气导流管；10：进气束管；11：排气束管；12：多孔介质。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例一