[发明专利]有源矩阵面板、检测装置和检测系统

权利要求书

1.一种有源矩阵面板，包括：

与多个晶体管的控制电极连接的栅极线；和

向所述栅极线供给导通电压和非导通电压的驱动电路，

其中，所述驱动电路包括移位寄存器和解复用器，所述移位寄存器包含相互连接的多个移位寄存器单元电路，所述解复用器包含所述移位寄存器单元电路的输出信号所输入的多个解复用器单元电路，

所述解复用器单元电路包含用于向所述栅极线供给导通电压的第一晶体管和用于向所述栅极线供给非导通电压的第二晶体管，并且，

当第二晶体管处于导通状态时，第一晶体管从非导通状态变为导通状态。

2.根据权利要求1的有源矩阵面板，其中，在所述栅极线的电压变为导通电压之后，第二晶体管进入非导通状态。

3.根据权利要求1的有源矩阵面板，其中，所述解复用器单元电路还包含逆变器，所述逆变器接收第一晶体管、第二晶体管与栅极线之间的互连节点的电势作为输入信号并且将所述输入信号逆变的信号输出到第二晶体管的控制电极，并且，

所述逆变器包含向第二晶体管的控制电极供给第一电压的第三晶体管和向第二晶体管的控制电极供给第二电压的第四晶体管。

4.根据权利要求1的有源矩阵面板，其中，在所述栅极线的电压变为导通电压之后，第二晶体管与第一晶体管的沟道电阻比变为100倍或更大。

5.根据权利要求3的有源矩阵面板，

其中，如果第一电压为V_DD、第二电压为V_SS、第一晶体管的沟道宽度和沟道长度分别为W₆和L₆、第二晶体管的沟道宽度和沟道长度分别为W₇和L₇、第三晶体管的沟道宽度和沟道长度分别为W₈和L₈、第四晶体管的沟道宽度和沟道长度分别为W₉和L₉并且第一到第四晶体管的阈值电压的平均值为V_TH，那么满足下式：

W9/L9W8/L8≥(VDD-VLL-VTH)22(VDD-VSS-VTH)(VLL-VSS)-(VLL-VSS)2]]>

VLL=VSS+VTH+1100W6/L6W7/L7·2(VDD-VSS)(VDD-VSS-2VTH).]]>