[发明专利]用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线有效
| 申请号： | 201310223610.3 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103295993A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 天野裕之;三上道孝;冈崎纯一;滨本拓也;中岛伸一郎;山下勉;三苫修一;小野甲介;刘斌;执行裕之 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;C22C9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王铁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 装置 中的 连接 合金 | ||
1.一种用于在半导体装置中的球焊的铜-铂合金线，所述铜-铂合金线是用于半导体装置的铜-铂二元合金线，所述铜-铂二元合金线包含铂(Pt)和余量的纯度为99.995质量％以上的铜(Cu)，并且可通过连续拉丝获得，其中，
作为金属元素的0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)固溶在所述铜-铂合金线的铜(Cu)基体中，且
6nm以下的氧化物膜覆盖表面层。
2.一种用于在半导体装置中的球焊的铜-铂合金线，所述铜-铂合金线是用于半导体装置的铜-铂二元合金线，所述铜-铂二元合金线包含铂(Pt)以及余量的纯度为99.995质量％以上的铜(Cu)，并可通过连续拉丝获得，其中，
作为金属元素的0.1至2.0质量％的铂(Pt)和1至5质量ppm的磷(P)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)固溶在所述铜-铂合金线的铜(Cu)基体中，且
6nm以下的氧化物膜覆盖表面层。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的用于在半导体装置中的球焊的铜-铂合金线，其中，所述铜-铂合金线的所述余量的铜(Cu)的纯度为99.998质量％以上。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的用于在半导体装置中的球焊的铜-铂合金线，其中，所述铜-铂合金线具有77至105Hv的维氏硬度。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的用于在半导体装置中的球焊的铜-铂合金线，其中，氧(O)的含量大于硫(S)的含量。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的用于在半导体装置中的球焊的铜-铂合金线，其中，所述连续拉丝是在所述氧化物膜形成之后、在连续拉丝之前的线的线直径的90％以上的冷加工。
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