[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体器件有源区；

位于所述半导体器件有源区上的电极形状控制层，所述电极形状控制层中含有铝元素，所述全部或部分电极形状控制层中铝元素的含量从半导体器件有源区由下至上逐渐减少；所述电极形状控制层上设有电极区，所述电极区设有向半导体器件有源区延伸并纵向贯穿所述电极形状控制层的凹槽，所述凹槽的侧面全部或部分为斜坡、或向两侧凹陷的弧形坡、或向中间凸出的弧形坡；

全部或部分位于所述电极区中凹槽内的电极，所述电极形状与凹槽形状对应设置，所述电极底部与半导体器件有源区相接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电极形状控制层为半导体层、第一介质层中一种或两种的组合。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件有源区和电极形状控制层中的半导体层为三族氮化物、硅、锗、锗硅、III-V族化合物、氧化物中一种或多种的组合。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质层包括SiN、SiAlN、SiAlGaN、SiAlO_x、AlMgON、HfAlO_x中一种或多种的组合。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述电极形状控制层为半导体层和第一介质层时，第一介质层位于半导体层的上方，所述半导体层中任意一处铝元素的含量高于第一介质层中任意一处铝元素的含量。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述全部或部分电极形状控制层中铝元素的含量从半导体器件有源区由下至上呈线性下降、或加速下降、或减速下降、或先线性下降再保持不变、或先减速下降再保持不变、或先加速下降再保持不变。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电极形状控制层中的凹槽部分延伸至半导体器件有源区中。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电极形状控制层中的凹槽内壁及电极形状控制层表面上全部或部分沉积有第二介质层，所述电极全部或部分位于所述第二介质层上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第二介质层包括Al₂O₃、AlON、SiN、SiON、SiO₂、HfAlO_x、HfO₂中一种或多种的组合。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括二极管和三极管，所述电极包括二极管的阳极和阴极以及三极管的源极、漏极和栅极。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件有源区包括：铝镓氮/氮化镓异质结构成的高电子迁移率晶体管、铝镓铟氮/氮化镓异质结构成的高电子迁移率晶体管、氮化铝/氮化镓异质结构成的高迁移率三极管、氮化镓MOSFET、含有铟镓氮/镓氮多量子阱结构的器件、p型氮化物构成的发光二极管、UV-LED、光电探测器、氢气产生器、太阳能电池、LDMOS、UMOSFET、肖特基二极管或者雪崩击穿二极管。

12.一种如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、提供半导体器件有源区；

S2、在所述半导体器件有源区上形成电极形状控制层，所述电极形状控制层中含有铝元素，所述全部或部分电极形状控制层中铝元素的含量从半导体器件有源区由下至上逐渐减少，所述电极形状控制层上设有电极区；

S3、在所述电极区上形成向半导体器件有源区延伸并纵向贯穿所述电极形状控制层的凹槽，所述凹槽的侧面全部或部分为斜坡、或向两侧凹陷的弧形坡、或向中间凸出的弧形坡；

S4、在所述电极区中凹槽内的形成电极，所述电极全部或部分位于电极区中凹槽内，所述电极形状与凹槽形状对应设置，所述电极底部与半导体器件有源区相接触。