[发明专利]单原子层氮化硼在表面涂层中的应用无效
| 申请号： | 201310222571.5 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103333536A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 郭万林;李雪梅;殷俊 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C09D1/00 | 分类号： | C09D1/00;C09D5/08 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 原子 氮化 表面 涂层 中的 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种单原子层氮化硼在表面涂层中的应用。
2.根据权利要求1所述的单原子层氮化硼在表面涂层中的应用，其特征在于：应用单原子层氮化硼表面涂层的基底包括带有绝缘氧化层或绝缘介电层的金属或半导体，或是高分子柔性材料，或是不导电的无机材料，或是导电的金属，或是光敏半导体材料。
3.根据权利要求2所述的单原子层氮化硼在表面涂层中的应用，其特征在于：所述的基底表面是平整的或弯曲的。
4.根据权利要求1所述的单原子层氮化硼在表面涂层中的应用，其特征在于：氮化硼表面涂层的制备方法包括化学气相沉积法、外延生长法、等离子体溅射法、磁控溅射法。
5.根据以上任意一项权利要求所述的单原子层氮化硼在表面涂层中的应用，其特征在于：结合氮化硼的方式是直接生长或者生长后转移至基底表面。
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