[发明专利]梯状凸块结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310222219.1 申请日: 2013-06-05
公开(公告)号: CN103681562B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 蔡佩君;曾裕仁;郭庭豪;陈承先 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/48
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 梯状凸块 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种凸块结构,包括:

凸块下金属化(UBM)部件,处在衬底上方;

铜柱,处在所述凸块下金属化部件上,所述铜柱具有颈缩轮廓,并且所述铜柱最接近所述衬底的第一宽度大于所述铜柱远离所述衬底的第二宽度;

金属盖,安装在所述铜柱上,其中,所述金属盖在所述铜柱之上突出;以及

焊料部件,安装在所述金属盖上。

2.根据权利要求1所述的凸块结构,其中,所述铜柱的底部宽于所述铜柱的顶部。

3.根据权利要求1所述的凸块结构,其中,所述铜柱的一半高度处的宽度与所述铜柱的底部的宽度的比率在0.9至0.93之间。

4.根据权利要求1所述的凸块结构,其中,从所述铜柱的顶部开始测量的所述铜柱的四分之一高度处的所述铜柱的宽度与所述铜柱的底部宽度的比率在0.92至0.94之间。

5.根据权利要求1所述的凸块结构,其中,在所述铜柱与所述金属盖相邻接的位置处,所述金属盖的宽度大于所述铜柱的宽度。

6.根据权利要求1所述的凸块结构,其中,在所述铜柱与所述金属盖相邻接的位置处,所述金属盖的宽度与所述铜柱的宽度的比率在1.05至1.07之间。

7.根据权利要求1所述的凸块结构,其中,所述金属盖的宽度与所述铜柱在与所述凸块下金属化部件相邻接的位置处的宽度的比率在0.92至1.0之间。

8.根据权利要求1所述的凸块结构,其中,在所述铜柱的侧壁上设置有氧化铜层。

9.根据权利要求1所述的凸块结构,其中,所述铜柱的侧壁没有任何锡涂层。

10.根据权利要求1所述的凸块结构,其中,所述金属盖由镍形成。

11.一种凸块结构,包括:

凸块下金属化(UBM)部件,处在衬底上;

铜柱,处在所述凸块下金属化部件上,所述铜柱具有颈缩轮廓,使得所述铜柱最接近所述衬底的第一宽度大于所述铜柱远离所述衬底的第二宽度;

金属盖,处在所述铜柱上,所述金属盖的盖宽度大于所述金属盖和所述铜柱之间的界面处的所述铜柱的柱宽度;以及

焊料部件,处在所述金属盖上。

12.根据权利要求11所述的凸块结构,其中,沿着所述铜柱的侧壁的整个长度,所述铜柱最接近所述衬底的第一宽度大于所述铜柱远离所述衬底的第二宽度。

13.根据权利要求11所述的凸块结构,其中,所述颈缩轮廓是弯曲的。

14.根据权利要求11所述的凸块结构,其中,在所述铜柱的侧壁上设置有氧化铜层。

15.根据权利要求11所述的凸块结构,其中,所述铜柱的侧壁没有任何锡涂层。

16.一种形成凸块结构的方法,包括:

在衬底上形成凸块下金属化(UBM)部件;

在所述凸块下金属化部件上形成铜柱,将所述铜柱成型为具有颈缩轮廓,并且所述铜柱最接近所述衬底的第一宽度大于所述铜柱远离所述衬底的第二宽度;

在所述铜柱上形成金属盖,其中,所述金属盖在所述铜柱之上突出;以及

在所述金属盖上形成焊料部件。

17.根据权利要求16所述的形成凸块结构的方法,其中,在所述铜柱的侧壁上设置氧化铜层。

18.根据权利要求16所述的形成凸块结构的方法,其中,所述铜柱的底部宽于所述铜柱的顶部。

19.根据权利要求16所述的形成凸块结构的方法,其中,沿着所述铜柱的侧壁的整个高度,所述铜柱最接近所述衬底的第一宽度大于所述铜柱远离所述衬底的第二宽度。

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