[发明专利]密钥生成方法及密钥生成装置

权利要求书

1.一种密钥生成方法，其特征在于，所述方法包括：

选取静态随机存储器SRAM的预定地址段内的数据作为初始数据；

获取与所述初始数据相对应的纠错码；

使用所述纠错码对所述初始数据进行纠错生成纠错结果；

根据所述纠错结果生成密钥。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述获取与所述初始数据相对应的纠错码之前，还包括：

预先生成所述初始数据的纠错码；

将所述纠错码保存到非易失性存储器NVM；

所述获取与所述初始数据相对应的纠错码具体为：从所述NVM获取所述纠错码。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预先生成所述初始数据的纠错码，包括：

获取所述SRAM的预定地址段内数据的初始值变化率；

选择能够对数据错误率大于或等于所述初始值变化率的数据进行纠错的算法作为基准算法；

选取所述SRAM从第一次上电到首次生成密钥过程中任意一次上电后所述预定地址段内数据作为基准数据；

使用所述基准算法生成所述基准数据的纠错码。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取与所述初始数据相对应的纠错码具体为，

获取使用所述基准纠错算法生成的所述基准数据的纠错码，所述基准纠错算法为能够对数据错误率大于或等于所述SRAM的初始值变化率的数据进行纠错的纠错算法，所述基准数据为所述SRAM从第一次上电到首次生成密钥过程中任意一次上电后所述预定地址段内的数据。

5.如权利要求1至4任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述根据纠错结果取得密钥包括：

将所述纠错结果作为密钥；

或者，从所述纠错结果中提取密钥。

6.一种密钥生成装置，其特征在于，所述装置包括：

选取单元，用于选取所述SRAM的预定地址段内的数据作为所述初始数据；

获取单元，用于获取与所述选取单元选取的所述初始数据相对应的纠错码；

纠错单元，用于使用所述获取单元获取的所述纠错码对所述初始数据进行纠错生成纠错结果；

生成单元，用于根据所述纠错单元生成的所述纠错结果生成密钥。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

预设单元，用于预先生成所述预定地址段内的数据的纠错码；

保存单元，用于将所述预设单元预先生成的所述纠错码保存到非易失性存储器NVM；

所述获取单元，具体用于从所述非易失性存储器获取所述纠错码。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述预设单元包括：

变化率获取子单元，用于获取所述SRAM的预定地址段内数据的初始值变化率；

算法选择子单元，用于选择能够对数据错误率大于或等于所述初始值变化率的数据进行纠错的算法作为基准算法；

数据预设子单元，用于选取所述SRAM从第一次上电到首次生成密钥过程中任意一次上电后所述预定地址段内数据作为基准数据；

纠错码生成子单元，用于使用所述算法选择单元选取的基准算法生成所述数据预设单元选取的所述基准数据的纠错码。

9.如权利要求6所述的装置，其特征在于，

所述获取单元，具体用于获取使用所述基准纠错算法生成的所述基准数据的纠错码，所述基准纠错算法为能够对数据错误率大于或等于所述SRAM的初始值变化率的数据进行纠错的纠错算法，所述基准数据为所述SRAM从第一次上电到首次生成密钥过程中任意一次上电后所述预定地址段内的数据。

10.如权利要求6至9任意一项权利要求所述的装置，其特征在于，

所述生成单元，具体用于将所述纠错结果作为密钥，或者从所述纠错结果中提取密钥。