[发明专利]一种硅粉的制备设备

说明书

技术领域

本发明属于化学合成技术领域，涉及一种硅粉的制备设备。

背景技术

随着科学技术的不断发展，应用于高新技术产业的硅粉不仅要求其具有好的流动性、分散性、导热系数小、导热率低，而且要求其纯度、球化率等。目前，制备硅粉的方法还不能同时满足产量大及质量高的要求。

发明内容

本发明实施例的目的在于克服现有技术中存在的问题，提供一种硅粉的制备设备。

本发明实施例是这样实现的，一种硅粉的制备设备，所述设备包括反应腔室、射频电源、抽真空系统、喷淋电极及传送带衬底机构；所述反应腔室具有反应气体接口、射频电源接入串口及排气口；所述射频电源与反应腔室的射频电源接入串口连接；所述抽真空系统与反应腔室的排气口连接；所述喷淋电极安装于反应腔室里面，所述的喷淋电极设有布气管道，所述布气管道及所述喷淋电极的面向传送带衬底一侧的下盖板都设有排气孔；所述布气管道与反应腔室上的反应气体接口连接，反应气体在布气管道流动，通过所述布气管道及喷淋电极的下盖板的排气孔，喷向传送带衬底机构，喷淋电极的下盖板与反应腔室的射频电源接入串口连接；当外部射频电源输入时，喷淋电极的下盖板与传送带衬底机构之间产生射频电压，使得喷淋电极的下盖板与传送带衬底机构的气体电离成等离子体，等离子体分解沉积于传送带衬底机构上；所述反应气体为含硅气体。

优选地，所述传送带衬底机构包括辊筒和金属带材，所述金属带材由辊筒带动着传送；所述硅粉的制备设备还包括第一加热器，所述第一加热器加热所述金属带材。

优选地，所述硅粉的制备设备进一步包括耐高温滚刷及硅料槽，所述耐高温滚刷的滚动方向与所述金属带材传送方向相反，使硅粉和金属带材脱离而掉落在硅料槽中。

优选地，所述硅粉的制备设备进一步包括第二加热器，所述第二加热器加热硅料槽提纯硅粉。

优选地，所述硅粉的制备设备进一步包括真空计。

优选地，所述含硅气体为SiH4、SiF4、SiCl3H、SiF4、SiH2Cl2、SiCl4、H2气体中的一种或多种。

在本发明的实施例中，有如下的技术效果：本发明采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，借助射频装置使含硅气体局部形成等离子体，利用等离子体化学活性强的特点，使得硅原子基团分解而沉积在衬底上形成团簇进而结成粉末，产量大、得到的硅粉质量高。

附图说明

图1是本发明硅粉的制备设备的示意图。

图2是本发明的喷淋电极的示意图。

图3是本发明的喷淋电极的仰视图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参见图1至图3，为本发明硅粉的制备设备的示意图。本发明一种硅粉的制备设备，所述设备包括反应腔室1、射频电源2、抽真空系统3、喷淋电极4、传送带基底机构5、第一加热器6、耐高温滚刷7、硅料槽8、第二加热器9及真空计10。

所述反应腔室1具有气体接口11、与腔壁绝缘性好的射频电源接入串口12、用于抽真空的排气口13、及用于提取物料的腔室门14。反应气体从气体接口11进入腔室。采用含硅气体作为反应气体，含硅气体可以是SiH4、SiF4、SiCl3H、SiF4、SiH2Cl2、SiCl4、H2等气体。

所述射频电源2与反应腔室1的射频电源接入串口12连接，为等离子的产生提供射频电。所述的射频电源可以不带有自动匹配功能、也可以带有自动匹配功能、或外接有射频匹配器；所述的射频电源的频率可以是300KHz～30GHz的任何频率。

所述抽真空系统3与反应腔室1的排气口13连接，用于反应沉积前的抽背底真空及反应沉积过程中满足工艺气压要求。在本发明中，可以采用任意方式抽真空，如干泵、机械泵、分子泵、扩散泵等一种或多种方式组合。

所述喷淋电极4设于反应腔室1里面；所述的喷淋电极4设有布气管道41，布气管道41及喷淋电极的面向传送带衬底5一侧的下盖板42都相应的排气孔；所述的喷淋电极4的布气管道41与反应腔室1上的反应气体接口11连接，反应气体在布气管道41流动，通过布气管道41及下盖板42的排气孔，将反应气体以均匀的压力喷向传送带衬底机构5。