[发明专利]一种直接在SiO2/Si衬底上制备石墨烯的方法无效
| 申请号： | 201310220724.2 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103253663A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 尚艳霞;黄志宏;周霖;王泽松;付德君 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直接 sio sub si 衬底 制备 石墨 方法 | ||
1.一种直接在SiO2/Si衬底上制备石墨烯的方法，其特征是：
利用离子注入方法在过渡金属/SiO2/Si衬底的过渡金属膜层上制备石墨烯，所述的过渡金属膜层的厚度要保证可在过渡金属膜层上、下表面均获得石墨烯；然后，依次清除过渡金属膜层上表面的石墨烯、过渡金属膜层，即在SiO2/Si衬底上得到石墨烯。
2.如权利要求1所述的直接在SiO2/Si衬底上制备石墨烯的方法，其特征是：
所述的利用离子注入方法在过渡金属/SiO2/Si衬底的过渡金属膜层上制备石墨烯，进一步包括子步骤：
1）采用负离子源产生团簇碳离子，并将团簇碳离子注入到过渡金属/SiO2/Si衬底的过渡金属膜层上；
2）将注入团簇碳离子的过渡金属/SiO2/Si衬底进行退火处理，即在过渡金属/SiO2/Si衬底的过渡金属膜层上获得石墨烯。
3.如权利要求1所述的直接在SiO2/Si衬底上制备石墨烯的方法，其特征是：
所述的清除过渡金属膜层上表面的石墨烯是采用氧等离子体刻蚀法。
4.如权利要求1所述的直接在SiO2/Si衬底上制备石墨烯的方法，其特征是：所述的清除过渡金属膜层是采用化学刻蚀法。
5.如权利要求1所述的直接在SiO2/Si衬底上制备石墨烯的方法，其特征是：
所述的过渡金属/SiO2/Si衬底中的过渡金属膜层为铜膜层或镍膜层。
6.如权利要求5所述的直接在SiO2/Si衬底上制备石墨烯的方法，其特征是：
所述的铜膜层厚度为50~100nm。
7.如权利要求5所述的直接在SiO2/Si衬底上制备石墨烯的方法，其特征是：
所述的镍膜层厚度为100~300nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310220724.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
