[发明专利]一种多晶硅炉管工艺中控片的改进结构及其制备方法和使用方法有效
| 申请号： | 201310220481.2 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103295880A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张乐成;王智;苏俊铭;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 炉管 工艺 中控片 改进 结构 及其 制备 方法 使用方法 | ||
1.一种多晶硅炉管工艺中的控片，其特征在于，所述控片包括一硅衬底，所述硅衬底的上表面覆盖有一层保护层，所述保护层的上表面覆盖有二氧化硅薄膜；
其中，所述保护层为在湿法去除所述二氧化硅薄膜的溶液中的刻蚀速率小于二氧化硅薄膜的刻蚀速率的薄膜。
2.如权利要求1所述的多晶硅炉管工艺中的控片，其特征在于，所述湿法去除所述二氧化硅薄膜的溶液为氢氟酸；所述保护层为氮化硅薄膜。
3.如权利要求2所述的多晶硅炉管工艺中的控片，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为20-100纳米。
4.如权利要求1所述的多晶硅炉管工艺中的控片，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的厚度为10-20纳米。
5.一种应用如权利要求1-4中任意一项所述的控片进行多晶硅炉管工艺的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤1、对所述控片进行炉管工艺前的前值测量；
步骤2、判断所述前值是否超出所述炉管工艺的规定；若所述前值超出所述炉管工艺的规定，则进行步骤3；若所述前值未超出所述炉管工艺的规定，则进行步骤6；
步骤3、去除位于所述控片的硅衬底之上的所述二氧化硅薄膜和保护层；
步骤4、制备保护层完全覆盖所述硅衬底的上表面；
步骤5、制备二氧化硅薄膜覆盖所述保护层的上表面，形成所述控片的结构，并对所述控片进行步骤1中的所述测量；
步骤6、对所述控片进行所述多晶硅炉管工艺，在所述多晶硅炉管工艺完成后，于所述控片的所述二氧化硅薄膜上形成一层多晶硅层；
步骤7、去除所述多晶硅层和所述二氧化硅薄膜，并进行步骤4、步骤5。
6.一种如权利要求1-4中任意一项所述的多晶硅炉管工艺中的控片的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
于一硅衬底的上表面上制备一保护层；
于所述保护层上表面上制备二氧化硅薄膜；
其中，所述保护层为在湿法去除所述二氧化硅薄膜的溶液中的刻蚀速率小于二氧化硅薄膜的刻蚀速率的薄膜。
7.如权利要求6所述的多晶硅炉管工艺中的控片的制备方法，其特征在于，所述湿法去除所述二氧化硅薄膜的溶液为氢氟酸；所述保护层为氮化硅薄膜。
8.如权利要求7所述的多晶硅炉管工艺中的控片的制备方法，其特征在于，采用低压化学气相淀积工艺制备所述氮化硅薄膜。
9.如权利要求8所述的多晶硅炉管工艺中的控片的制备方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为20-100纳米。
10.如权利要求6所述的多晶硅炉管工艺中的控片的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的厚度为10-20纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
