[发明专利]具有经处理表面的光伏电池及相关应用

权利要求书

1.一种光伏电池，其特征在于包括：

VMJ光伏电池，其包括多个整体接合的电池单元，每一电池单元具有形成PN结的多个层；及

缓冲带，其保护所述多个层免受在所述VMJ光伏电池上诱发的应力及应变中的至少一者。

2.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于所述缓冲带包括低电阻率材料。

3.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于所述缓冲带实施为电池单元的末端层的表面上的边沿形成物。

4.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于所述缓冲层包括高度掺杂的低电阻率硅层。

5.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于电池单元包括堆叠在一起的多个平行半导体衬底。

6.根据权利要求5所述的光伏电池，其特征在于所述半导体衬底由杂质掺杂的半导体材料构成。

7.根据权利要求6所述的光伏电池，其特征在于所述半导体衬底包括内部静电漂移场，以增强朝向所述PN结的少数载子移动。

8.一种保护光伏电池中的作用层的方法，其特征在于包含：

整体地接合多个作用层以形成VMJ光伏电池；及

经由缓冲带保护所述作用层免受在所述VMJ光伏电池上诱发的应力、剪切力、力矩及扭力中的至少一者。

9.根据权利要求8所述保护光伏电池中的作用层的方法，其特征在于所述缓冲带的相关联晶面的定向的米勒指数（111）的晶片的一部分。

10.根据权利要求9所述保护光伏电池中的作用层的方法，其特征在于进一步包括形成具有低电阻率的缓冲带作为所述VMJ光伏电池的末端层的一部分。

11.根据权利要求8所述保护光伏电池中的作用层的方法，其特征在于所述整体地接合多个作用层其进一步形成多个整体接合的电池单元。

12.根据权利要求8所述保护光伏电池中的作用层的方法，其特征在于进一步包括将硅晶片与铝界面熔合在一起，以形成所述光伏电池。

13.根据权利要求8所述保护光伏电池中的作用层的方法，其特征在于所述整体地接合多个作用层进一步包括杂质掺杂的半导体材料以形成所述VMJ光伏电池。

14.根据权利要求8所述保护光伏电池中的作用层的方法，其特征在于进一步包括在光伏电池的外层之间并入欧姆触点。

15.一种光伏电池，其特征在于包括含：

用于形成光伏电池中的PN结的构件；及

用于保护多个作用层免受在所述光伏电池上诱发的应力或应变的构件。