[发明专利]一种驱动尖峰电压抑制电路

说明书

技术领域

本发明涉及电力电子领域，尤其涉及一种驱动尖峰电压抑制电路。

背景技术

在目前的大多数电力逆变装置中，绝缘栅双极型晶体管（英文全称为：Insulated Gate Bipolar Transistor，缩写为：IGBT）米勒电容引发的驱动尖峰是显而易见的现象，请参阅图1，图1为现有技术中的IGBT米勒效应原理电路图，其中，V_GE所在的箭头所指的点是指该点的电压为V_GE，I_m所在的曲线箭头所指的方向是指该电路中的电流I_m流动方向，在IGBT管S2关断，IGBT管S1开通时，在IGBT管S2的栅极会产生dV_ce/dt的电压变化量，电流I_m流经IGBT管S2的米勒电容C_CG，驱动电阻R_G和驱动光耦内部电阻R_driver产生压降V_GE，米勒效应电流I_m≈C_CG*dV_ce/dt，电压V_GE=I_m*(R_G+R_driver)，然而，当V_GE超过IGBT管栅极的门极阈值时，IGBT管S2将导通，即IGBT管S1和IGBT管S2同时导通，将导致IGBT管S1或S2损坏，逆变桥壁直通引起炸机，且由于在电力转换装置中的逆变器采用单个或多个IGBT管并联使用，在多个IGBT管并联情况下，米勒电容也将并联，得到的米勒效应电流I_m≈（C_CG1+C_CG2+C_CG3+…….+C_CGn）*dV_ce/dt，因此，在多个IGBT管并联导通的情况下，电流中的驱动尖峰电压V_GE几乎成倍数增长，将导致电路更大的损坏。

在现有技术中，抑制驱动尖峰电压的快速增长的方法主要有1、在IGBT管的栅极（G）和发射极（E）之间增加电容；2、增加与栅极上的驱动电阻；3、使用正负电源供电；4、使用驱动光耦米勒箝位功能，然而，方法1和2均是以增加IGBT管的开关损耗为代价，且对驱动尖峰电压的抑制能力不强，特别是多个IGBT管并联使用时驱动尖峰电压的抑制效果更差，其中，方法3和4在柜式机器上使用效果不理想，主要是柜式机器驱动引线长，引线电感抑制电流瞬间突变，抑制能力与引线杂散电感量成正比，导致使用方法3和4也难以得到较好的驱动尖峰电压的抑制效果。因此，目前并没有一种有效的抑制驱动尖峰电压的电路，且驱动尖峰电压的抑制仍然是一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种驱动尖峰电压抑制电路，能够有效的抑制IGBT管的驱动尖峰电压。

本发明提供了一种驱动尖峰电压抑制电路，可包括：

三极管、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容及至少两个IGBT管；

所述第一电阻与所述第一电容连接之后并联到驱动电源的第一输出端和第二输出端上，所述第一电阻与所述第一电容的相互连接的一端与所述第一二极管的一端连接，所述第一二极管的另一端与所述三极管的基极连接；

所述三极管的集电极还与第二二极管的一端连接，所述第二二极管的另一端与所述驱动电源的所述第一输出端连接；

所述至少两个IGBT管并联，其中一个IGBT管的栅极与所述三极管的发射极相连，所述第二电容的一端连接所述三极管的集电极，所述第二电容的另一端连接所述其中一个IGBT管的发射极，其中另外一个IGBT管的集电极与直流输入电压的输入端连接；

所述第二电阻的一端与所述驱动电源的所述第一输出端连接，所述第二电阻的另一端与所述三极管的发射极连接。

从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：