[发明专利]一种聚合物模板的制作方法及其在有机场效应晶体管中的应用有效
| 申请号: | 201310218406.2 | 申请日: | 2013-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN103311436A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
| 发明(设计)人: | 胡文平;江浪;董焕丽;纪德洋;王宗瑞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/40 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
| 地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 聚合物 模板 制作方法 及其 有机 场效应 晶体管 中的 应用 | ||
1.一种聚合物模板的制作方法,包括如下步骤:
1)、在基底上制备第一层聚合物;所述的聚合物是聚苯乙烯磺酸盐;
2)、在步骤1)制备好的第一层聚合物上制备第二层聚合物;所述的第二层聚合物是聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯;
3)、在步骤2)得到的第二层聚合物层上悬涂光刻胶,然后曝光、显影,得到图案化的源电极和漏电极;
4)、将步骤3)所得产物清洗干净,然后全部浸入水里,第一层聚合物被水溶解,其上面的膜就会漂浮在水上,之后将漂浮在水上的膜捞起烘干即得到所述的聚合物模板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中,第一层聚合物的制备方法为:在所述基底上悬涂聚苯乙烯磺酸盐的水溶液,再在140-160℃、优选为150℃条件下处理即得所述的第一层聚合物;所述的聚苯乙烯磺酸盐具体为聚苯乙烯磺酸钠。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤1)中,所述第一层聚合物的厚度为10~30nm,优选为20nm;所述的聚苯乙烯磺酸盐水溶液的浓度为20~40mg/mL。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,步骤2)中,第二层聚合物的制备方法为:在步骤1)制备好的第一层聚合物上悬涂聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯溶液,再在真空中经过60~80℃的处理即得所述的第二层聚合物层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤2)中,所述第二层聚合物的厚度为500~700nm;所述的聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯溶液是以甲苯、氯仿或氯苯为溶剂的;所述的聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯溶液的浓度为80~100mg/mL;所述真空的真空度为0.08~0.12MPa,优选为0.1MPa。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中,所述的基底为表面沉积有氧化铟锡的玻璃片,使用前依次用去离子水、丙酮和异丙醇超声清洗,然后用氮气吹干;步骤3)中,所述的光刻胶的厚度为1~5μm,优选为2μm;曝光时间为10~15s,优选为10s;显影用的显影液是质量浓度为2.38%的四甲基氢氧化铵溶液;步骤4)中,所述的清洗为:使用氧等离子体清洗机清洗10min,氧等离子体清洗机的功率为200W;步骤4)中,将步骤3)所得产物清洗干净后,再在其表面修饰一层正十八烷基硅烷或氟代正十八烷基硅烷单分子层,具体方法为:将经清洗干净的步骤3)所得产物放在培养皿中,滴一滴正十八烷基硅烷或氟代正十八烷基硅烷在所述的产物中间,然后真空下升温到120℃,保温两个小时后冷却至室温。
7.权利要求1-6中任一项所述的方法制备得到的聚合物模板。
8.权利要求7所述的聚合物模板在制备有机场效应晶体管中的应用。
9.一种制备有机场效应晶体管的方法,包括如下步骤:
将权利要求7所述的聚合物模板转移到事先准备好的半导体上,进行真空蒸镀金电极,然后去掉聚合物模板,即得到有机场效应晶体管。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述的事先准备好的半导体的制备方法如下:
在表面有300~500nm氧化层的硅片上进行正十八烷基硅烷或氟代正十八烷基硅烷的修饰,然后置于真空镀膜机内,在真空度为6×10-4Pa~4×10-4Pa的条件下以的速度蒸镀厚度为40~50纳米的并五苯或酞菁铜;其中,蒸镀并五苯或酞菁铜的方法选自真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积中的任意一种;
所述的真空蒸镀金电极的条件为:真空度为6×10-4Pa~4×10-4Pa的条件下以的速度蒸镀;蒸镀得到的金电极的厚度为20~40纳米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





