[发明专利]一种生长高介电常数电介质叠层的方法无效
| 申请号： | 201310217735.5 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103311120A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 赵威;刘洪刚;孙兵;常虎东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 介电常数 电介质 方法 | ||
1.一种生长高介电常数电介质叠层的方法，其特征在于，包括：
采用热模式原子层沉积方法在衬底上生长第一层高介电常数电介质；
采用等离子增强模式原子层沉积方法在第一层高介电常数电介质上生长第二层高介电常数电介质。
2.根据权利要求1所述的生长高介电常数电介质叠层的方法，其特征在于，所述衬底是IV族材料、III-V族化合物半导体材料或II-VI族化合物半导体材料。
3.根据权利要求1所述的生长高介电常数电介质叠层的方法，其特征在于，所述采用热模式原子层沉积方法在衬底上生长第一层高介电常数电介质的步骤中，反应腔真空度为0.5mbar至4mbar，反应腔温度为200℃至450℃，热源温度为25℃至300℃，液态源温度为15℃至25℃，气体脉冲时长为10毫秒至10秒。
4.根据权利要求1所述的生长高介电常数电介质叠层的方法，其特征在于，所述采用热模式原子层沉积方法在衬底上生长第一层高介电常数电介质的步骤中，第一层高介电常数电介质是Al、Hf、La、Si、Ti、Ta、Y、Zr的氧化物或多元氧合物，或者是Al、La、Si的氮化物或Al、Hf、Si的氮氧化物。
5.根据权利要求1所述的生长高介电常数电介质叠层的方法，其特征在于，所述采用等离子增强模式原子层沉积方法在第一层高介电常数电介质上生长第二层高介电常数电介质的步骤中，反应腔真空度为0.5mbar至4mbar，反应腔温度为150℃至300℃，，热源温度为15℃至300℃，气体脉冲时长为10毫秒至10秒，射频功率为5W至500W。
6.根据权利要求1所述的生长高介电常数电介质叠层的方法，其特征在于，所述采用等离子增强模式原子层沉积方法在第一层高介电常数电介质上生长第二层高介电常数电介质的步骤中，第二层高介电常数电介质是Al、Hf、La、Si、Ti、Ta、Y、Zr的氧化物或多元氧合物，或者是Al、La、Si的氮化物或Al、Hf、Si的氮氧化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
