[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体产品的失效分析领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

随着微电子器件尺寸不断缩小，在关键光刻层次上，比如栅极多晶硅（pol_y），因为需要做出更小的线宽，所以需要使用的光刻胶厚度非常薄，当光刻胶厚度无法满足刻蚀厚度时，硬掩膜被引入到生产工艺中。

现有工艺中常见的一种方法通常是采用氮化硅（SiN）薄膜作为硬掩膜，在栅极多晶硅刻蚀后用一步磷酸湿法刻蚀将氮化硅硬掩膜去除掉。然而这种方法有着一定的局限性，例如，当遇到栅极多晶硅下方还有氮化硅薄膜时，比如有ONO结构时，采用磷酸进行湿法刻蚀显然会对器件造成损坏，并且氮化硅硬掩膜的去除也不容易采用其他方式进行。于是业内就想到用另外一种常用的薄膜二氧化硅（SiO₂）来作为硬掩膜，但与氮化硅薄膜相同的是，用于去除二氧化硅薄膜的氢氟酸同样会腐蚀poly底部的栅氧化膜。鉴于此，业界在使用到二氧化硅作为栅极多晶硅的硬掩膜时，通常采用较薄的二氧化硅薄膜，在之后的工艺中一直保留这层薄膜的方式。

然而，这显然不是一个很好的解决方案，这层薄膜的保留会对后续的工艺造成一定的限制，不利于整个器件的制作。

发明内容

本发明提供了一种半导体结构的形成方法，以既能够去除poly上的硬掩膜，又能够避免去除时对栅极多晶硅下方的膜层产生损坏。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有栅极图形，所述栅极图形上覆盖有硬掩膜层；

在所述衬底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述硬掩膜层；

去除部分所述阻挡层，以完全暴露出所述硬掩膜层；

去除所述硬掩膜层；

去除剩余的所述阻挡层。

可选的，对于所述的半导体结构的形成方法，所述阻挡层的材料为底部抗反射涂层。

可选的，对于所述的半导体结构的形成方法，所述阻挡层的厚度为

可选的，对于所述的半导体结构的形成方法，采用干法刻蚀去除部分所述阻挡层。

可选的，对于所述的半导体结构的形成方法，采用BOE溶液去除所述硬掩膜层。

可选的，对于所述的半导体结构的形成方法，所述BOE溶液为采用HF溶液与NH₄F溶液的比例为1：40配比而成。

可选的，对于所述的半导体结构的形成方法，所述栅极图形的材料为多晶硅。

可选的，对于所述的半导体结构的形成方法，采用SPM溶液去除所述剩余的阻挡层。

可选的，对于所述的半导体结构的形成方法，所述所述SPM溶液由硫酸和双氧水以5:1的体积比配比而成。

与现有技术相比，在本发明提供的半导体结构的形成方法中，在衬底和硬掩膜层上覆盖阻挡层，并通过部分去除阻挡层，暴露出硬掩膜层，进而去除硬掩膜层，这种方法能够有效的避免栅极图形下方的膜层不受到刻蚀液的损坏，有利于提高器件的质量。

附图说明

图1为本发明实施例的半导体结构的形成方法的流程图；

图2～图6为本发明实施例的半导体结构的形成方法的过程示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提供的半导体结构的形成方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

由背景技术可知，目前主要是采用了氮化硅或二氧化硅来作为硬掩膜层，而这两者都面临着湿法刻蚀时容易对下层膜层产生影响的问题。发明人在研究后发现，业内迫于无奈而将硬掩膜层的厚度做薄的这一方向也不是较佳的，发明人并未直接从去除硬掩膜层这一角度来研究，而是对硬掩膜层的材料和目前去除硬掩膜层的酸液进行了分析，然后发现当采用二氧化硅作为硬掩膜层时，用于去除二氧化硅的氢氟酸可以让光刻胶等有机物进入，那么，基于此，不干扰的去除二氧化硅硬掩膜层就具有可行性。

请参考图1，其为本发明实施例的流程图，在本实施例中，包括如下步骤：

步骤S101：提供衬底，所述衬底上形成有栅极图形，所述栅极图形上覆盖有硬掩膜层；

步骤S102：在所述衬底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述硬掩膜层；

步骤S103：去除部分所述阻挡层，以完全暴露出所述硬掩膜层；

步骤S104：去除所述硬掩膜层；

步骤S105：去除剩余的所述阻挡层。