[发明专利]一种半导体温差发电装置

权利要求书

1.一种半导体温差发电装置，它包括供高温流体通过的第一通道和供低温流体通过的第二通道，其特征在于：所述第一通道包括第一主通道以及第一主通道于高温流体行程上分散形成的若干第一子通道，第一子通道经过第二通道内部，第二通道内于第一子通道外壁设有半导体温差发电模块。

2.根据权利要求1所述的一种半导体温差发电装置，其特征在于：所述半导体温差发电模块与第一子通道紧密接触。

3.根据权利要求1所述的一种半导体温差发电装置，其特征在于：所述第一子通道内高温流体的流动方向与第二通道内低温流体的流动方向相反。

4.根据权利要求1所述的一种半导体温差发电装置，其特征在于：所述第二通道内部于低温流体行程上还设置有若干折流板，折流板上开设有若干供第一子通道穿过的第一通孔。

5.根据权利要求1至4之一所述的一种半导体温差发电装置，其特征在于：它包括：

一壳体，壳体两端分别设有一高温流体入口和一高温流体出口；

两隔板，位于壳体内部，各隔板分别分隔壳体一端，两隔板对应处开设有用于埋设第一子通道的第二通孔，第一子通道设置在两隔板相应的第二通孔之间；

一低温流体入口，位于两隔板之间，开口靠近壳体内的一侧的隔板；

一低温流体出口，位于两隔板之间，开口靠近壳体内的另一侧的隔板；

所述高温流体入口和高温流体出口分别与其临近的隔板之间形成第一主通道，高温流体从壳体一端的第一主通道通过第一子通道流至壳体另一端的第一主通道，形成第一通道；低温流体从壳体内一侧隔板的低温流体入口流至壳体内另一侧隔板的低温流体出口，形成第二通道。

6.根据权利要求5所述的一种半导体温差发电装置，其特征在于：所述第一子通道的截面外轮廓为圆形。

7.根据权利要求6所述的一种半导体温差发电装置，其特征在于：所述各第一子通道之间的间距不小于第一子通道外径的1.25倍。

8.根据权利要求1至4之一所述所述的一种半导体温差发电装置，其特征在于：所述第一通道内的高温流体为高温烟气，第二通道内的低温流体为冷却水。