[发明专利]一种探针接触电阻测量方法在审
| 申请号： | 201310217405.6 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103278693A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 索鑫;任栋梁 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 探针 接触 电阻 测量方法 | ||
1.一种探针接触电阻的测量方法，包括：
提供待检测晶圆，所述晶圆上形成有焊垫，所述焊垫连接至电源端VDD；
将探针与焊垫接触，并将电源端VDD接地；
向探针提供多次测量电流，得到探针上对应的测量电压；
根据测量电流和测量电压计算出探针的接触电阻的阻值R。
2.如权利要求1所述的探针接触电阻的测量方法，其特征在于，焊垫与电源端VDD之间连接有第一静电保护二极管，所述第一静电保护二极管的负极与电源端VDD连接，正极与焊垫连接。
3.如权利要求1所述的探针接触电阻的测量方法，其特征在于，提供测量电流的次数为两次。
4.如权利要求3所述的探针接触电阻的测量方法，其特征在于，先提供第一测量电流I1，得到第一测量电压U1；然后提供第二测量电流I2，得到第二测量电压U2。
5.如权利要求4所述的探针接触电阻的测量方法，其特征在于，计算接触电阻R的公式为R=（U1-U2）/（I1-I2）。
6.如权利要求1至5任意一项所述的探针接触电阻的测量方法，其特征在于，向探针提供的多次测量电流间的差值至少为10mA。
7.如权利要求6所述的探针接触电阻的测量方法，其特征在于，所述测量电流的取值范围为100μA～100mA。
8.如权利要求2所述的探针接触电阻的测量方法，其特征在于，所述焊垫还连接有第二静电保护二极管，所述第二静电保护二极管的正极接地，负极与焊垫连接。
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