[发明专利]一种硅铝合金的制备方法无效
申请号: | 201310216093.7 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN103361581A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 王亚平 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C22F1/043 | 分类号: | C22F1/043 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 弋才富 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铝合金 制备 方法 | ||
1.一种硅铝合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、首先,用铸造方法制备出硅的质量百分数25%-90%、硅相尺寸0.2-20mm的硅铝材料,或者用粉末冶金方法制备出硅的质量百分数25%-90%、硅粒子尺寸0.1-1mm的硅铝材料;
步骤二、将步骤一的硅铝材料进行搅拌摩擦处理,具体工艺步骤和参数为:将硅铝块体固定在工作台上,用工具钢或硬质合金制工具作为摩擦头,摩擦头在工件表面施加的10-100KN的轴向力,工作台的横向推力为10-80KN,摩擦头转速为200-1500转/分,摩擦头在样品表面的扫描速度为20~400毫米/分,经一至数次完整扫描后制得致密的、硅相尺寸位于0.5~50μm间的致密硅铝复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种硅铝合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、首先用粉末冶金方法制备出硅的质量百分数50%、硅粒子尺寸0.1-1mm的硅铝材料;
具体是:将占总重量50%、粒径为45~100μm的硅粉与占总重量50%、粒径45~100μm的铝粉在混粉机中均匀混合,混合过程中可以加入3wt%成型剂或进行造粒,之后经过40MPa冷压,1000°C真空烧结获得硅铝块体材料;
步骤二、将步骤一的硅铝材料进行搅拌摩擦处理,获得硅的质量百分数50%、硅相尺寸0.5~50μm的致密硅铝复合材料:
搅拌摩擦处理具体为:将硅铝块体固定在工作台上,用H13钢制工具作为摩擦头,摩擦头在工件表面施加的轴向力为70KN,工作台的横向推力20KN,摩擦头转速为700转/分,摩擦头在样品表面的扫描速度为150毫米/分,经一次完整扫描后制得致密的、硅相尺寸位于0.5~20μm间的细晶硅铝材料。
3.根据权利要求1所述的一种硅铝合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、首先用粉末冶金方法制备出硅铝材料:将质量百分数为60%、粒径为74~150μm的硅粉与占总重量40%、粒径为74~150μm的铝粉均匀混合,均匀混合的粉末经20MPa冷压成型,950°C的氩气气氛中烧结2-8小时,然后在500℃热压致密化,获得硅铝块体材料;
步骤二、将步骤一获得的硅铝材料用真空钎焊焊接在铝片表面;将钎焊后的材料进行搅拌摩擦处理:用5CrNiMo热作模具钢制工具作为摩擦头,摩擦头在工件表面施加的轴向力为60KN,工作台的横向推力20KN,摩擦头转速为800转/分,摩擦头在样品表面的扫描速度为200毫米/分;经一次完整扫描后制得复合于铝片表面的、硅相尺寸位于1~20μm间的细晶硅铝材料层。
4.根据权利要求1所述的一种硅铝合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、首先用粉末冶金方法制备出硅铝材料:将占总重量70%的粒径为45~74μm的硅粉与占总重量30%的粒径为74~150μm的铝粉均匀混合,均匀混合的粉末经30MPa冷压成型,1000°C的氮气气氛中烧结2-8小时,然后在600℃热压致密化;
步骤二、将步骤一获得的硅铝材料用激光焊接在铜片表面,将焊接后的材料进行搅拌摩擦处理:将硅铝/铜块体固定在工作台上,用YG8硬质合金制工具作为摩擦头,摩擦头在工件表面施加的轴向力为60KN,工作台的横向推力25KN,摩擦头转速为600转/分,摩擦头在样品表面的扫描速度为200毫米/分;经一次完整扫描后获得复合于铜片表面的、硅相尺寸位于5~50μm间的硅铝材料。
5.根据权利要求1所述的一种硅铝合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、首先用铸造方法制备出硅铝材料:将占总重量40%的硅块与占总重量比为60%的铝块在真空冶炼炉中完全熔化,之后浇铸成厚度为8-10毫米的板状材料;
步骤二、将步骤一获得的硅铝经过搅拌摩擦处理:处理方法为:将硅铝板状材料固定在工作台上,用H13钢制工具作为摩擦头,摩擦头在工件表面施加的轴向力为50KN,工作台的横向推力20KN,摩擦头转速为600转/分,摩擦头在样品表面的扫描速度为100毫米/分;经一次完整扫描后制得致密的、硅相尺寸位于0.5~20μm间的细晶硅铝材料。
6.根据权利要求1所述的一种硅铝合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
所述的步骤一的得到的硅铝材料焊接在铝片、铜片、硅片、碳化硅片、锗片、砷化镓片、氮化镓片或氮化铝片上再经步骤二的搅拌摩擦处理。
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