[发明专利]基于光子晶体的超高频近场RFID读写器天线有效
| 申请号: | 201310212074.7 | 申请日: | 2013-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN103337711A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
| 发明(设计)人: | 贺连星 | 申请(专利权)人: | 中科院杭州射频识别技术研发中心;杭州中瑞思创科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01Q19/10 | 分类号: | H01Q19/10;H01Q13/08;H01Q1/48;H01Q15/14 |
| 代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 吴秉中 |
| 地址: | 310011 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 光子 晶体 超高频 近场 rfid 读写 天线 | ||
1.一种基于PBG的近场RFID读写器天线,自上而下垂直排列有地板(100)、介质基板(101)、微带馈线(102)和PBG结构(103),其特征在于:所述地板(100)带有多对缝隙(100a),所述微带馈线(102)由匹配网络和多条弯折线组成。
2.如权利要求1所述的基于PBG的近场RFID读写器天线,其特征在于:所述缝隙(100a)为四对。
3.如权利要求2所述的基于PBG的近场RFID读写器天线,其特征在于:同一对缝隙(100a)之间的距离为3.5mm,相邻的两对缝隙(100a)之间的距离为90mm。
4.如权利要求1所述的基于PBG的近场RFID读写器天线,其特征在于:所述弯折线为四条;每条弯折线上有三个弯折线单元(102f)。
5.如权利要求1或4所述的基于PBG的近场RFID读写器天线,其特征在于:通过调节所述微带馈线(102)使天线的输入阻抗50 。
6.如权利要求1所述的基于PBG的近场RFID读写器天线,其特征在于:通过调节所述弯折线和缝隙(100a)之间的距离使缝隙处耦合的电场最强。
7.如权利要求1所述的基于PBG的近场RFID读写器天线,其特征在于:所述PBG结构(103)是由7x8的PBG阵列组成。
8.如权利要求7所述的基于PBG的近场RFID读写器天线,其特征在于:所述单个PBG为花瓣状结构。
9.如权利要求8所述的基于PBG的近场RFID读写器天线,其特征在于:所述花瓣状结构的边缘(103a)所在的圆半径为27mm,花瓣状结构的内部的圆柱(103b)半径为7mm,圆柱高为2mm,花瓣状结构的边沿空出部分是3mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科院杭州射频识别技术研发中心;杭州中瑞思创科技股份有限公司,未经中科院杭州射频识别技术研发中心;杭州中瑞思创科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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