[发明专利]一种基于字线分割的存储器多位翻转的检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基于字线分割的存储器多位翻转的检测方法，主要是涉及没有对字线进行分割的该类存储器。即，只有行译码，没有列译码，一行即是一个字。

背景技术

来自宇宙射线中的各种高能粒子以及封装材料中含有的微量放射性元素都有可能导致存储器发生比特位的翻转，尤其是当其能量较强时，可能会发生多比特位的翻转。因此，有必要对所设计的存储器进行多位翻转的检测，寻找设计缺陷和瓶颈。

目前，由于并没有开发出针对多比特位翻转的检测方法，大部分研究人员主要只关注单比特位的翻转，通过从SRAM读回数据去判断是否发生了单比特位。如果只是简单按照单比特位错误的检测方法来检测多比特位错误，则会耗费大量的时间以及对实验仪器提出更高的要求。而本发明则提供了简单、快速的多比特位检测方法。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为了快速、准确的检测出多位翻转在存储器中所处的位置，本发明提供了一种基于字线分割的存储器多位翻转的检测方法。

(二)技术方案

为达到上述目的，本发明提供了一种基于字线分割的存储器多位翻转的检测方法，该方法包括：选择粒子流速以及测试时间；FPGA板向存储器注入测试激励；以及存储器将反馈得到的数据通过串口回传到PC机，得到在存储器中所发生多位翻转的位置。

上述方案中，所述选择粒子流速以及测试时间，是让存储器读出一个字的时间远远小于存储器平均被一个粒子击中的时间，该远远小于是小于1000倍以上。

上述方案中，所述FPGA板向存储器注入测试激励，包括：将存储器全地址写1或0，全地址写完数据后，开始执行循环读地址的操作，当FPGA内测试程序检测到存储器某个地址上的数据有错误出现时，首先FPGA保存该地址形成断点，将该地址设为地址k，k为自然数；对于字线分割类型的存储器而言，其版图上比特位的相邻位并非是同一个字线上的相邻位，因此，首先保持行地址不变，列地址依次变化为k2+1，k2+2，读出上述两个地址的数据；然后返回断点地址，保持列地址不变，行地址依次变化为k1+1，k1+2，读出上述两个地址的数据；最后检测上述4个地址的数据是否有新的错误存在，如果这四个地址上的错误数之和大于等于1，则意味着多位翻转的发生，FPGA将记录上述五个地址以及每个地址上的数据，并通过串口把数据回传到PC机；如果这四个地址上的错误数之和等于0，则程序返回到断点的下一个地址，继续执行循环读的操作。

上述方案中，所述在执行循环读地址的操作时，如果设定的测试时间到达，则结束。

(三)有益效果

本发明针对基于字线分割的存储器提供了一种多位翻转的检测方法，常规的方法是针对存储器全部地址来寻址，从而定位存储器发生多位翻转的位置。而本专利中使用的方法不需要对SRAM采用全部寻址地方式，而只是针对有错误出现的地址来进行上下扫描，这样对于大容量SRAM而言，极大了缩短了定位存储器发生多位翻转所在位置。该方法能让测试人员快速、准确地对多位翻转进行定位。

附图说明

图1是依照本发明实施例的检测存储器多位翻转的示意图。

图2是依照本发明实施例的存检测储器多位翻转的方法流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

参照图1和图2，本发明提供了一种基于字线分割的存储器多位翻转的检测方法，该方法包括：选择粒子流速以及测试时间；FPGA板向存储器注入测试激励；以及存储器将反馈得到的数据通过串口回传到PC机，得到在存储器中所发生多位翻转的位置。

其中，所述选择粒子流速以及测试时间，是让存储器的读出一个字的时间远远小于存储器平均被一个粒子击中的时间，该远远小于是小于1000倍以上。例如存储器的读出一个字的时间为10ns，选择粒子的流速小于10⁵个/s，这样，平均下来一个周期内(10ns)将不到1/1000个粒子。这样就可以最大限度保证读出来的数据只是被一个粒子击中所引发的错误数据，从而避免了在读出数据的周期内由于多个粒子击中存储器造成多位翻转的假象，触发误统计。