[发明专利]一种防污闪绝缘子的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310211312.2 申请日: 2013-05-31
公开(公告)号: CN103280281A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 曹文斌;刘文秀;全海芹;吴洋;曾艳萍;蔡文河;赵卫东 申请(专利权)人: 北京科技大学;华北电力科学研究院有限责任公司
主分类号: H01B19/04 分类号: H01B19/04;H01B17/50
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 防污 绝缘子 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种防污闪绝缘子的制备方法,其特征在于包括下述步骤:

1) 首先将偏钛酸按照0.1~2mol/L的浓度加入到去离子水中,混合搅拌15~90min;

2) 将上述混合溶液中在25~60℃条件下,按照摩尔比为钛离子:双氧水=1:(1~10)的比例缓慢加入双氧水,然后搅拌0.5~3h后得到溶胶前驱液,将上述溶胶前驱液按照钛离子: SiO2溶胶的质量比为(0.5~5):1的比例混合后搅拌均匀得到复合溶胶;

3) 按0.1~5%的原子百分比的量向上述溶胶中加入钒掺杂源后搅拌溶解,经喷涂或者浸涂的方式在刚刚制备完成的普通瓷质绝缘子表面涂膜;

4) 最后负载完成的薄膜经100~160℃烘干30~90min后,在350-600℃热处理后即得到与基体附着良好的防污闪绝缘子。

2.根据权利要求1所述的防污闪绝缘子的制备方法,其特征在于: 所述的钒掺杂源为草酸钒、柠檬酸钒、酒石酸钒、醋酸钒、乙二酸钒中的一种或几种的混合物。

3.根据权利要求1所述的防污闪绝缘子的制备方法,其特征在于: 所用的SiO2溶胶中SiO2的固含量为5~40wt%。

4.根据权利要求1所述的防污闪绝缘子的制备方法,其特征在于: 所述的制备方法适用于低压及高压的瓷质绝缘子表面处理。

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