[发明专利]一种防污闪绝缘子的制备方法有效
| 申请号: | 201310211312.2 | 申请日: | 2013-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN103280281A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
| 发明(设计)人: | 曹文斌;刘文秀;全海芹;吴洋;曾艳萍;蔡文河;赵卫东 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学;华北电力科学研究院有限责任公司 |
| 主分类号: | H01B19/04 | 分类号: | H01B19/04;H01B17/50 |
| 代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
| 地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 防污 绝缘子 制备 方法 | ||
1.一种防污闪绝缘子的制备方法,其特征在于包括下述步骤:
1) 首先将偏钛酸按照0.1~2mol/L的浓度加入到去离子水中,混合搅拌15~90min;
2) 将上述混合溶液中在25~60℃条件下,按照摩尔比为钛离子:双氧水=1:(1~10)的比例缓慢加入双氧水,然后搅拌0.5~3h后得到溶胶前驱液,将上述溶胶前驱液按照钛离子: SiO2溶胶的质量比为(0.5~5):1的比例混合后搅拌均匀得到复合溶胶;
3) 按0.1~5%的原子百分比的量向上述溶胶中加入钒掺杂源后搅拌溶解,经喷涂或者浸涂的方式在刚刚制备完成的普通瓷质绝缘子表面涂膜;
4) 最后负载完成的薄膜经100~160℃烘干30~90min后,在350-600℃热处理后即得到与基体附着良好的防污闪绝缘子。
2.根据权利要求1所述的防污闪绝缘子的制备方法,其特征在于: 所述的钒掺杂源为草酸钒、柠檬酸钒、酒石酸钒、醋酸钒、乙二酸钒中的一种或几种的混合物。
3.根据权利要求1所述的防污闪绝缘子的制备方法,其特征在于: 所用的SiO2溶胶中SiO2的固含量为5~40wt%。
4.根据权利要求1所述的防污闪绝缘子的制备方法,其特征在于: 所述的制备方法适用于低压及高压的瓷质绝缘子表面处理。
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