[发明专利]减少基材上粒子污染的接地引脚

说明书

本申请为申请日为2009年06月19日,申请号为200980131177.2，发明名称为减少基材上粒子污染的平台及其方法的专利的分案申请。　

技术领域

本发明涉及一种用以支撑一基材的平台装置，尤其涉及一种于处理基材时减少粒子污染的平台及其方法。

背景技术

离子植入或掺杂为制造电子装置中多个处理过程中的一个过程。于现有的技术中，可利用束线离子植入系统来执行离子植入。图1为束线离子植入系统的方块图。现有的离子植入系统100可包括一离子源104、多个束线（beam-line）元件105以及一末端站(end station)110。于现有技术中，离子源104可用来产生所要种类(species)102的离子。产生的离子可以藉由束线元件105而从离子源104取出。类似于一连续的光学透镜来操作一光束，束线元件105操作各离子使成为离子束102且使离子束102朝向一晶圆106与一支撑该晶圆106的平台108所在的末端站110。离子束直接朝着末端站110而射入于晶圆106上且离子植入得以进行。

离子植入也可利用一等离子体掺杂（PLAD）或等离子体浸没离子植入（PIII）系统来进行。在等离子体掺杂系统中，晶圆106与支撑该晶圆106的平台108是配置于一处理室中。同时，包含一所要种类的处理(process)气体是进入于等离子体掺杂系统的等离子体源中。于有些系统中，等离子体源可邻近处理室。于其他系统中，等离子体源可移开且远离处理室。接着，该处理气体可转换成等离子体210，其包含电子、所要种类的离子202、中子与/或残余物。晶圆106可以加偏压，且所要种类的离子202可以植入于晶圆中。

平台108可在离子植入时用以支撑该晶圆106。平台108可包括多个静电地钳紧(clamp)该晶圆106至平台108的电极（未绘示）。于其他实施例中，平台108可以使晶圆106在多个不同方向中移动（例如，平移、旋转、倾斜等）。

平台108可用来控制多个离子置入的参数。举例来说，平台108可用来维持晶圆106的温度在一所要值。因为离子植入过程为一需能量的过程，晶圆106的温度会提升至超过所所要的温度。一般来说，平台108是用来防止基材过热。现有的平台可具有沿着已安装的晶圆106而设置的冷却凹陷（未绘示），其可定义出一冷却区域（未绘示）。冷却气体可引入于冷却区域中且维持在一预定压力，如此使气体可接触到晶圆106与冷却的晶圆106。

平台108可用来控制其他的植入参数，包括晶圆106中防止过度的充电增长。现有技术中，当晶圆106以充电的离子来轰击时，过度充电会在晶圆106中形成。过度充电的形成会造成电弧且导致晶圆106的严重失效。此外，充电的形成会于完成离子植入过程后使晶圆106由平台108松开(de-clamped)时受到阻碍。为了避免过度充电的形成，晶圆106与206可包含一或多个接地电路（未绘示），其将晶圆106电性连接至地面且降低过度充电的形成。

在现有的平台108中，平台108的部分是直接连接至晶圆106。这样的接触会产生碎片。碎片会漂移至晶圆106的前侧，且此侧即为离子束102所射入的那侧。邻近该晶圆106的前侧的碎片是不利的，此乃因碎片会干涉植入过程，且最后会造成小于最佳效果的设备。因此，改进的平台是需要。

发明内容

本发明揭示减少基材上粒子污染的技术。在一实施例中，此技术可以一具有多个不同区域的平台来实施，其中这些区域中的压力值可实质上相同。举例来说，平台可包括一平台主体，其包含第一与第二凹陷，第一凹陷定义出一流体区域用以保持流体以维持基材的温度于一预定温度，第二凹陷定义出一第一凹槽(cavity)用以保持一接地电路；一第一通孔(via)定义于平台主体中，第一通孔具有第一与第二开口，第一开口邻近流体区域，而第二开口邻近第一凹槽，其中流体区域的压力值可维持在一准位，且此准位实质上相等于第一凹槽的压力值。

依据本实施例的另一方面，流体区域可与第一凹槽处于压力平衡。

依据本实施例的又一方面，流体区域可与第一凹槽处于流体相通。

依据本实施例的其他方面，平台可还包括一流体通道，其中流体区域通过流体通道而使流体流通于第一凹槽。

依据本实施例的其他方面，流体通道可提供于平台主体内。

依据本实施例的其他方面，流体通道可提供于接地电路内。

依据本实施例的其他方面，接地电路可包括一接地引脚(pin)，其具有一引脚主体与一套管(sleeve)，且流体通道可提供于套管内。