[发明专利]用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底有效

专利信息
申请号: 201310208689.2 申请日: 2013-05-30
公开(公告)号: CN103258843A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 王俊龙;冯志红;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;张雄文;宋旭波;何泽召;蔚翠 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/872
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 陆林生
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 用于 赫兹 肖特基 二极管 多孔 衬底
【权利要求书】:

1.一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底,其特征在于包括半绝缘衬底(1),在所述半绝缘衬底(1)的背面设有两个以上的空气孔(2),所述空气孔(2)的深度小于半绝缘衬底(1)的厚度。

2.根据权利要求1所述的用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底,其特征在于所述空气孔(2)的深度大于半绝缘衬底(1)厚度的三分之一。

3.根据权利要求1或2所述的用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底,其特征在于所述半绝缘衬底(1)的厚度为10微米到100微米。

4.根据权利要求1或2所述的用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底,其特征在于所述空气孔(2)的截面面积占半绝缘衬底(1)截面面积的40%-70%。

5.根据权利要求1或2所述的用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底,其特征在于所述空气孔(2)的形状为矩形、圆形、椭圆形或者其他多边形。

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