[发明专利]带欠饱和保护的IGBT驱动电路

权利要求书

1.一种抑制IGBT过电流的驱动电路，其主要特征为：本发明主要由前级控制电路(7)、隔离驱动电路(1)、降栅压钳位电路(5)、推挽放大电路(2)、报警输出电路(6)、以及过电压检测电路(4)组成，其中，前级控制电路(7)的输入端与报警输出电路(6)相连，输出端与隔离驱动电路(1)输入端连接，隔离驱动电路(1)的输出端、降栅压钳位电路(5)的第一输出端与推挽放大电路(2)的输入端连接，推挽放大电路(2)的输出端与IGBT驱动回路(3)连接，过电压检测电路(4)的输入端与IGBT驱动回路(3)连接、输出端与降栅压钳位电路(5)的输入端连接，降栅压钳位电路(5)的第二输出端与报警输出电路(6)的输入端连接，对本发明的隔离驱动电路(1)、降栅压钳位电路(5)、推挽放大电路(2)、报警输出电路(6)、过电压检测电路(4)的具体示例分别进行了说明。

2.依据权利要求1所述的带欠饱和保护的IGBT驱动电路，其主要特征为：隔离驱动电路(1)主要由TLP光电耦合器U2、电阻R4组成，降栅压钳位电路(5)由运算放大器U1、二极管D1、电阻R6组成，推挽放大电路(2)由三极管Q1、Q2、电阻R9、Rg组成，推挽放大电路(2)是目前市场上通用的电路，报警输出电路(6)由限流电阻R7和光电耦合器U3、发光二极管LED1组成，过电压检测电路(4)由高压二极管D4、D5、电阻R1、R2、R3、R5、R7、R8、二极管D2、D3电容C4以及稳压二极管ZD1运算放大器U1等组成。