[发明专利]一种驱动高容性负载的CMOS缓冲器电路无效
| 申请号： | 201310208133.3 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103326710A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 谢亮;段杰斌;张文杰;金湘亮 | 申请（专利权）人： | 湘潭芯力特电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0948 | 分类号： | H03K19/0948 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411104 湖南省湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 驱动 高容性 负载 cmos 缓冲器 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种驱动高容性负载的CMOS缓冲器电路，包括第一级运算放大器，压控电流源，第二级运算放大器，其特征在于：所述第一级运算放大器的正向输入端接输入信号，所述第一级运算放大器输出端与所述的压控电流源输出端和第二级运算放大器输入端相连接；所述第二级运算放大器的输出端与所述第一级运算放大器的反向输入端相连接。
2.根据权利要求1所述的CMOS缓冲器电路，其特征在于：所述压控电流源为两个，所述压控电流源与第一级运算放大器相连接，以平衡第一级运算放大器的差分对管电流。
3.根据权利要求1所述的CMOS缓冲器电路，其特征在于：所述第一级运算放大器为五管差分运算放大器。
4.根据权利要求1所述的CMOS缓冲器电路，其特征在于：所述第二级运算放大器为一共源共栅放大器，其负载为一电流源，以获得高增益。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭芯力特电子科技有限公司，未经湘潭芯力特电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310208133.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：气化反应器
- 下一篇：将矿物油组合物脱蜡的方法
