[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，该基板具有一像素区，该像素区由多条扫描线和多条数据信号线交叉限定；一配线区以及一端子区，其中该配线区和端子区位于该像素区外侧；一TFT阵列，形成在该基板上并配置在该像素区；其特征在于：所述的配线区包括由第一配线层形成的多个第一配线，以及由第二配线层形成的多个第二配线，多个第一配线和多个第二配线将所述的像素区的多个像素端子和所述的端子区域的多个信号端子相电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于：在所述的第一配线层和第二配线层之间设置透明电极层。

3.根据权利要求2所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于：所述的透明电极层为具有导体特性的IGZO层。

4.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于：所述的第一配线层的多个第一配线与所述的TFT阵列的栅极为同一层并由同种金属形成。

5.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于：所述的第二配线层的多个第二配线与所述的像素区的数据信号线为同一层并由同种金属形成。

6.一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，该基板具有一像素区、一配线区以及一端子区，其中该配线区和端子区位于该像素区外侧，其特征在于：包括如下步骤，

步骤1、在玻璃基板上沉积金属层，在像素区由此金属层形成栅极、扫描线，栅极与扫描线相连接；在配线区由此金属层形成第一配线层的多条第一配线：

步骤2、在经过所述步骤1处理的所述基板上沉积绝缘层，并覆盖整个基板；

步骤3、在经过所述步骤2处理的所述基板上形成金属氧化物层；

步骤4、在经所述步骤3处理的所述基板上形成保护层，该保护层位于栅极正上方的金属氧化层上；

步骤5、对经过所述步骤4处理的所述基板进行离子注入或退火制程，使位于配线区的金属氧化层具有透明导体特性以及位于栅极上方并于保护层下方的金属氧化物层的以外的金属氧化物层具有透明导体特性；

步骤6、在经所述步骤5处理的所述基板上沉积保护层并制作接触孔和第一配线的接触孔，同时去除像素区的具有透明导体特性的金属氧化物层的上方的保护层；

步骤7、在经所述步骤6处理的所述基板上沉积金属层，在像素区由此金属层形成数据信号线以及多个像素端子，数据信号线与像素端子相连接；在配线区由此金属层形成第二配线层的多条第二配线；同时在端子区由此金属层形成多个信号端子；通过第一配线和第二配线将像素区的所有像素端子和端子区域的所有信号端子相电性连接，使信号有效的传递至像素区。

7.根据权利要求6所述的一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于：所述金属氧化物层为IGZO层。