[发明专利]在每个像素具有补偿薄膜晶体管的超高分辨率液晶显示器有效
申请号: | 201310205112.6 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN103915445B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 李正一 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 每个 像素 具有 补偿 薄膜晶体管 超高 分辨率 液晶显示器 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,包括:
在水平方向上延伸的多条栅极线以及在垂直方向上延伸的多条数据线,所述栅极线与所述数据线在基板上限定多个像素区域;
第一栅极和第二栅极,所述第一栅极和所述第二栅极通过将设置在上侧和下侧的任一侧的任一条栅极线分开而形成;
第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管与所述第一栅极连接;以及
第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管和所述第二栅极连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,还包括:
半导体层,所述半导体层被设置成从靠近所述第一栅极的第一像素区域至靠近所述第二栅极的第二像素区域延伸,
其中所述第一薄膜晶体管的漏极区域通过所述半导体层与所述第二薄膜晶体管的源极区域连接。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板,其中所述第一薄膜晶体管包括:
第一源极,所述第一源极从所述数据线分支并且与所述半导体层的一侧接触;
第一沟道层,所述第一沟道层包括所述半导体层的与所述第一栅极交叠的部分;以及
第一漏极区域,所述第一漏极区域从所述第一沟道层延伸;
并且其中所述第二薄膜晶体管包括:
第二源极区域,所述第二源极区域从所述第一漏极区域延伸并且所述第二源极区域包括所述半导体层的一部分;
第二沟道层,所述第二沟道层从所述第二源极区域延伸并且与所述第二栅极交叠;以及
第二漏极,所述第二漏极与从所述第二沟道层延伸的半导体层的另一侧接触。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,还包括:
第一半导体层,所述第一半导体层形成在第一侧并且与所述第一栅极和所述第二栅极相交以从所述第一像素区域向所述第二像素区域延伸,
其中所述第一半导体层与形成在所述第一像素区域中的第一像素电极连接,并且
所述第二半导体层与形成在所述第二像素区域中的第二像素电极连接。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板,其中所述第一半导体层与设置在一侧的数据线连接,并且
所述第二半导体层与设置在另一侧的数据线连接。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,还包括:
像素电极,所述像素电极与所述第二薄膜晶体管连接;
钝化层,所述钝化层覆盖所述像素电极;以及
公共电极,所述公共电极在所述钝化层上与所述像素电极交叠。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板,其中所述像素电极为具有矩形形状的面电极,并且
所述公共电极与所述像素电极交叠,并且所述公共电极具有平行设置并具有确定间隙的多个区段。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的