[发明专利]一种无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种利用无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述的器件包括：电子注入层，空穴注入层，无机电子传输层，有机空穴传输层以及量子点有源发光层，所述的器件是从下往上依次为空穴注入层、有机空穴传输层、量子点有源发光层、无机电子传输层、电子注入层的结构。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述的器件的电能转移方法可以包括以下步骤中的一种，或者两种同时存在：

a、电子通过电子注入层经由无机电子传输层直接提供给所述的量子点有源发光层， 空穴通过空穴注入层，经由有机空穴传输层直接提供给所述的量子点有源发光层；

b、电子依次通过电子注入层、无机电子传输层和量子点有源发光层，空穴依次通过空穴注入层和有机空穴传输层，二者在有机空穴传输层靠近量子点有源发光层的界面处形成激子，再把激子的能量转移至所述的量子点有源发光层。

3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述的量子点可以是II- IV族化合物半导体及其核壳结构，如CdS或CdSe或CdS/ZnS或CdSe/ZnS或CdSe/CdS/ZnS；还可以是III-V或IV-VI族化合物半导体及其核壳结构，如GaAs或InP和PbS/ZnS或PbSe/ZnS，所述的量子点的尺寸为平均特征尺寸2~10nm。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述的空穴注入层的材料可以是高功函数透明导电玻璃，如ITO或FTO或GZO，或ITO、FTO、GZO与PEDOT:PSS的组合。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述的电子注入层的材料可以是Au或Ag或Al或In或Mg/Ag或Li/Al，所述的有机空穴传输层可以是激子能量大于所述量子点带隙E_QD的材料，如TPD或NPB或PTT或PPV。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述的无机电子传输层为金属氧化物ZnSnO薄膜或InGaZnO 薄膜或AlZnO薄膜或InSnO薄膜，所述的薄膜要求具有高电子迁移率（＞1.0 cm²V^-1s^-1）和低载流子浓度（＜10¹⁴ cm^-3）。

7.一种根据权利1所述的量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

a、提供清洗干净并做过处理的的透明导电玻璃作为空穴注入层；

b、 提供溶有有机空穴传输层的溶液，用旋涂的方法沉积到透明导电玻璃上；

c、提供溶有选定量子点的溶液，用旋涂的方法将量子点沉积到有机空穴传输层表面，形成量子点有源发光层；

d、利用溅射技术沉积无机电子传输层；

e、利用蒸发技术或溅射技术沉积电子注入层；

f、利用超声键合引出金属导线或导电银浆固定并引出金属导线。

8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述的步骤c中所选用的溶剂微溶或不能溶解步骤b中的有机空穴传输层。

9.根据权利要求7所述的量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述的量子点有源发光层的薄膜厚度为10nm ±5nm。

10.根据权利要求7所述的量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述的有机空穴传输层的平均厚度大于或等于50nm，所述的无机电子传输层的平均厚度大于或等于80nm。