[发明专利]一种场效应晶体管有效
| 申请号： | 201310203111.8 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104183635B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 文正;林书勋;孟迪;吴文刚;郝一龙 | 申请（专利权）人： | 北京天元广建科技研发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 102200 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
沟道层，形成于所述衬底的上方；
势垒层，形成于所述沟道层的上方；
源极、漏极、栅极，形成于所述势垒层的上方，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧；
至少一个欧姆接触金属条，形成于所述栅极和所述漏极之间；
所述欧姆接触金属条的两侧与所述沟道层中的二维电子气直接接触，所述二维电子气形成于所述沟道层中靠近其与所述势垒层接触部分的上侧边缘处。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括两个以上且相互平行的所述欧姆接触金属条。
3.根据权利要求1-2任一项所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括：
至少一层栅绝缘层，形成于所述栅极和所述势垒层之间。
4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层覆盖所述栅极和所述漏极之间的全部区域或部分区域。
5.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括两层以上所述栅绝缘层。
6.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的介电常数大于9。
7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的材料为TiO2。
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