[发明专利]一种玻璃基板减薄蚀刻方法有效
| 申请号: | 201310202282.9 | 申请日: | 2013-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN103241957A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
| 发明(设计)人: | 陈必盛 | 申请(专利权)人: | 湖北优尼科光电技术有限公司 |
| 主分类号: | C03C15/00 | 分类号: | C03C15/00 |
| 代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址: | 432500 湖北省孝感市云*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 玻璃 基板减薄 蚀刻 方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示器玻璃基板加工技术领域,尤其涉及一种玻璃基板减薄蚀刻方法。
背景技术
随着人们对液晶显示器的显示效果的关注程度越来越高,特别是液晶显示器的分辨率的要求不断提升;故而,在液晶显示器的玻璃基板加工过程中,其线距、线宽需要蚀刻得越来越细,均匀性也要求越来越严格。
为了满足市场的要求,必须提供一种高要求的蚀刻方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种玻璃基板减薄蚀刻方法,该玻璃基板蚀刻方法能够进一步地提高液晶显示器玻璃基板的蚀刻质量,蚀刻品质好。
为达到上述目的,本发明通过以下技术方案来实现。
一种玻璃基板减薄蚀刻方法,包括有以下工艺步骤,具体为:
a、将玻璃基板放置于提篮;
b、将装好玻璃基板的提篮放置于第一超声波清洗槽内,清洗时间为1-1.5分钟;
c、将经过第一次清洗后的玻璃基板随提篮放置于蚀刻槽内,蚀刻槽通过循环泵体连续地供给蚀刻剂,玻璃基板于蚀刻槽内的蚀刻时间为8-15分钟,其中,蚀刻槽内的蚀刻剂包括有以下重量份的组分,具体为:
氢氟酸 20%-35%
硫酸 10%-25%
水 45%-65%;
d、将经过蚀刻处理后的玻璃基板随提篮放置于第二超声波清洗槽内,清洗时间为2-3分钟;
e、将经过第二次清洗后的玻璃基板随提篮放置于烘干器内,直至玻璃基板烘干为止。
其中,所述步骤c所使用的蚀刻剂包括有以下重量份的组分,具体为:
氢氟酸 25%-30%
硫酸 15%-20%
水 50%-60%。
其中,所述步骤c所使用的蚀刻剂包括有以下重量份的组分,具体为:
氢氟酸 28%
硫酸 18%
水 54%。
本发明的有益效果为:本发明所述的一种玻璃基板减薄蚀刻方法,该蚀刻方法包括有以下工艺步骤,具体为:a、将玻璃基板放置于提篮;b、将装好玻璃基板的提篮放置于第一超声波清洗槽内,清洗时间为1-1.5分钟;c、将经过第一次清洗后的玻璃基板随提篮放置于蚀刻槽内,蚀刻槽通过循环泵体连续地供给蚀刻剂,玻璃基板于蚀刻槽内的蚀刻时间为8-15分钟;d、将经过蚀刻处理后的玻璃基板随提篮放置于第二超声波清洗槽内,清洗时间为2-3分钟;e、将经过第二次清洗后的玻璃基板随提篮放置于烘干器内,直至玻璃基板烘干为止。其中,蚀刻槽内的蚀刻剂包括有以下重量份的组分,具体为:氢氟酸20%-35%、硫酸10%-25%、水45%-65%。通过上述工艺步骤,该蚀刻方法能够有效地提高液晶显示器玻璃基板的蚀刻质量,蚀刻品质好。
具体实施方式
下面结合具体的实施方式来对本发明进行说明。
实施例一,一种玻璃基板减薄蚀刻方法,包括有以下工艺步骤,具体为:
a、将玻璃基板放置于提篮;
b、将装好玻璃基板的提篮放置于第一超声波清洗槽内,清洗时间为1-1.5分钟;
c、将经过第一次清洗后的玻璃基板随提篮放置于蚀刻槽内,蚀刻槽通过循环泵体连续地供给蚀刻剂,玻璃基板于蚀刻槽内的蚀刻时间为8-15分钟,其中,蚀刻槽内的蚀刻剂包括有以下重量份的组分,具体为:
氢氟酸 28%
硫酸 18%
水 54%;
d、将经过蚀刻处理后的玻璃基板随提篮放置于第二超声波清洗槽内,清洗时间为2-3分钟;
e、将经过第二次清洗后的玻璃基板随提篮放置于烘干器内,直至玻璃基板烘干为止。
其中,本实施例一的蚀刻方法依次通过玻璃基板装夹、一次超声波清洗、蚀刻、二次超声波清洗以及烘干的步骤完成玻璃基板蚀刻加工,该蚀刻方法能够有效地提高液晶显示器玻璃基板的蚀刻质量,蚀刻品质好。
实施例二,一种玻璃基板减薄蚀刻方法,包括有以下工艺步骤,具体为:
a、将玻璃基板放置于提篮;
b、将装好玻璃基板的提篮放置于第一超声波清洗槽内,清洗时间为1-1.5分钟;
c、将经过第一次清洗后的玻璃基板随提篮放置于蚀刻槽内,蚀刻槽通过循环泵体连续地供给蚀刻剂,玻璃基板于蚀刻槽内的蚀刻时间为8-15分钟,其中,蚀刻槽内的蚀刻剂包括有以下重量份的组分,具体为:
氢氟酸 25%
硫酸 20%
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