[发明专利]一种制备块体非晶的熔剂覆盖及真空纯化方法

权利要求书

1.一种制备块体非晶的熔剂覆盖及真空纯化方法，其特征在于：将母合金和熔剂混合，加热至母合金液相线温度之上100-600 ^oC过热温度，使熔剂覆盖于合金熔体之上；在对合金熔体保温0.1-2小时的同时，施以真空纯化熔体，利用真空有效地排出熔体中的水、氧、氮、硫等有害气体；同时，利用熔体中气体排放形成的对流，使熔体与熔剂进行有效地接触，进而将熔体中的有害杂质元素为熔剂所中和或吸收；最后将合金熔体冷却至室温形成非晶合金固体。

2.根据权利要求1所述的一种制备块体非晶的熔剂覆盖及真空纯化方法， 其特征是：所述的母合金为Pd基、Pt基、Ag基、Au基、Fe基、Co基、Cu基、Ni基、 FeNi基、FeCo基合金中一种。

3.根据权利要求1所述的一种制备块体非晶的熔剂覆盖及真空纯化方法， 其特征是：所述的熔剂为Na₂O.CaO.6SiO₂、NaCl、KCl、Na₂B₄O₇、B₂O₃中的一种或其混合物。

4.根据权利要求1所述的一种制备块体非晶的熔剂覆盖及真空纯化方法， 其特征是：所述的合金熔体冷却方式为炉冷、空冷、水冷、铜模冷却、旋转铜辊冷却中一种。

5.根据权利要求1所述的一种制备块体非晶的熔剂覆盖及真空纯化方法， 其特征是：所述真空度为10^-1-10^-3Pa 。