[发明专利]一种Ho掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法

权利要求书

1.一种Ho掺杂ScVO₄发光材料，其特征在于所述发光材料的分子式可表示为 Ho_zSc_1-zVO₄，所述z的取值范围为：0.0001≤z≤0.1。

2.一种如权利要求1所述的Ho_zSc_1-zVO₄ 熔体法晶体生长方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）采用Ho₂O₃、Sc₂O₃、V₂O₅作为原料，按如下化合式进行配料，将其充分混合均匀后，压制，在60-80℃下进行预烧50-60分钟，再压制，冷却后再烧结：所述的再烧结温度为920-1020℃，烧结时间为30-70小时，结得生长晶体所需的多晶原料：

所述的化合式为：；

（2）把上述得到的多晶原料放入生长坩埚内，通过加热并充分熔化，获得晶体生长初始熔体；

（3）采用熔体法晶体生长法进行生长，获得Ho_zSc_1-zVO₄ 单晶。

3.根据权利要求2所述的一种Ho_zSc_1-zVO₄ 发光材料的熔体法晶体生长方法，其特征在于，不采用籽晶定向生长，或者采用籽晶定向生长；对于采用籽晶定向生长，籽晶为Ho_zSc_1-zVO₄或ScVO₄单晶，籽晶方向为晶体的<100>、<010>或<001>方向，以及其它任意方向。

4.根据权利要求2所述的一种Ho_zSc_1-zVO₄熔体法晶体生长方法，其特征在于，所述配料中，所用原料Ho₂O₃、Sc₂O₃、V₂O₅，可采用相应的 Ho、Sc、V的其它化合物代替，原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法，但需满足能通过化学反应能最终形成化合物 HozSc1-zVO4这一条件。

5.根据权利要求2所述的一种HozSc1-zVO4的熔体法晶体生长方法，其特征在于，由于晶体生长过程中的存在组分分凝效应，设所述HozSc1-zVO4晶体中某种元素的分凝系数为k，k＝0.01-1，则当所述的生长步骤中 Ho、Sc、V的化合式中该元素的化合物的质量为W时，则在配料中应调整为W/k。