[发明专利]像素单元的制作方法和图像传感器的制作方法

权利要求书

1.一种像素单元的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体基体，所述半导体基体包括光电二极管区域和晶体管区域，所述光电二极管区域包括第一区域以及位于所述晶体管区域和第一区域之间的第二区域，所述晶体管区域上形成有栅极结构，所述半导体基体的导电类型为第一导电类型；

在所述半导体基体和所述栅极结构上形成光刻胶层；

图形化所述光刻胶层，至暴露所述第二区域，剩余的所述光刻胶层作为第一光刻图形；

以所述第一光刻图形为掩模，进行第一离子注入；

图形化所述第一光刻图形，至完全暴露出所述光电二极管区域，剩余的所述第一光刻图形作为第二光刻图形；

以所述第二光刻图形为掩模，进行第二离子注入，在所述第一区域中形成第一掺杂区且在所述第二区域中形成第二掺杂区，进行第二离子注入和第一离子注入的掺杂离子的导电类型为第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同；

去除所述第二光刻图形。

2.如权利要求1所述的像素单元的制作方法，其特征在于，图形化所述光刻胶层的方法为曝光和显影工艺。

3.如权利要求1所述的像素单元的制作方法，其特征在于，图形化所述第一光刻图形的方法为灰化工艺。

4.如权利要求1所述的像素单元的制作方法，其特征在于，所述第一区域和第二区域的面积比为1:3～3:1。

5.如权利要求1所述的像素单元的制作方法，其特征在于，进行所述第一离子注入时掺杂离子的浓度为1.0E11atom/cm²～5.0E13atom/cm²，进行所述第二离子注入时掺杂离子的浓度为1.0E11atom/cm²～5.0E13atom/cm²。

6.如权利要求1所述的像素单元的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型；所述第二导电类型为N型。

7.如权利要求6所述的像素单元的制作方法，其特征在于，所述第一离子注入和第二离子注入的掺杂离子为磷离子，进行第一离子注入的能量小于200KeV，进行第二离子注入的能量小于200KeV。

8.如权利要求6所述的像素单元的制作方法，其特征在于，所述第一离子注入和第二离子注入的掺杂离子为砷离子，进行第一离子注入的能量小于300KeV，进行第二离子注入的能量小于300KeV。

9.如权利要求1所述的像素单元的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型；所述第二导电类型为P型。

10.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述图像传感器包括像素单元，采用如权利要求1至9中任一所述的像素单元的制作方法制作所述像素单元。