[发明专利]检测试片及其制造方法、检测装置

权利要求书

1.一种检测试片，用以检测检体中生化成分的含量，其特征在于该检测试片包括

绝缘基板；

电极层，设置于该绝缘基板上，该电极层包括互不相连的阳极部分以及阴极部分，该阳极部分的两端形成工作电极以及阳极接头，该阴极部分的两端分别形成参考电极以及阴极接头；

反应层，位于该电极层上，并覆盖至少部分该工作电极以及至少部分该参考电极，且该反应层与该工作电极以及该参考电极个别互相连接，该反应层用以与该检体接触产生化学反应；以及

放大电路，形成于该绝缘基板上，且该放大电路电性耦接于该工作电极与该阳极接头之间，用以放大该工作电极输出的电子信号，其中该电子信号由该化学反应产生。

2.如权利要求1所述的检测试片，其特征在于该检测试片还包括第一绝缘层，该第一绝缘层局部覆盖于该电极层，使得该阳极部分未被该第一绝缘层覆盖的裸露部分一端形成该工作电极和另一端形成该阳极接头，以及使得该阴极部分未被该第一绝缘层覆盖的裸露部分一端形成该参考电极和另一端形成该阴极接头。

3.如权利要求1所述的检测试片，其特征在于该电极层还包括辅助线路，该辅助线路的两端形成辅助电极以及第三接头，该反应层覆盖至少部分该辅助电极，且该反应层与该工作电极、该参考电极以及该辅助电极个别互相连接。

4.如权利要求1所述的检测试片，其特征在于该放大电路包括第一晶体管以及第二晶体管，其中该第一晶体管的控制端耦接该工作电极、该第一晶体管的第一端以及该第二晶体管的控制端，该第二晶体管的第二端耦接该阳极接头，该第一晶体管的第二端耦接参考信号，该第二晶体管的第一端耦接电压源。

5.如权利要求4所述的检测试片，其特征在于该第一晶体管以及该第二晶体管为薄膜电晶体管或场效应晶体管，该第一晶体管的控制端为栅极、该第一晶体管的第一端为漏极、该第一晶体管的第二端为源极，该第二晶体管的控制端为栅极、该第二晶体管的第一端为漏极、该第二晶体管的第二端为源极。

6.如权利要求1所述的检测试片，其特征在于该放大电路位于该电极层，该放大电路与该电极层采用曝光微影蚀刻制程一同形成于该绝缘基板上。

7.一种检测装置，其特征在于，该检测装置包括

如权利要求1-6中任意一项所述的检测试片；以及

信号处理装置，该信号处理装置接收放大后的该电子信号，并根据放大后的该电子信号计算该检体的生化成分的含量。

8.一种检测试片的制造方法，其特征在于该制造方法包括：

于绝缘基板上形成电极层，该电极层包括互不相连的阳极部分以及阴极部分，该阳极部分的两端形成工作电极以及阳极接头，该阴极部分的两端分别形成参考电极以及阴极接头；

于该绝缘基板上形成放大电路，该放大电路电性耦接于该工作电极与该阳极接头之间，用以放大该工作电极输出的电子信号；以及

将反应层覆盖至该绝缘基板上，该反应层覆盖至少部分该工作电极以及至少部分该参考电极，且与该工作电极以及该参考电极个别互相连接，该反应层用以与该检体接触产生化学反应，其中该电子信号由该化学反应产生。

9.如权利要求8所述的检测试片的制造方法，其特征在于该制造方法于该于绝缘基板上形成电极层的步骤之后且于该将反应层覆盖至该绝缘基板上的步骤之前还包括以下步骤：

以第一绝缘层局部覆盖该电极层，使该阳极部分未被该第一绝缘层覆盖的裸露部分一端形成该工作电极和另一端形成该阳极接头，以及使该阴极部分未被该第一绝缘层覆盖的裸露部分一端形成该参考电极和另一端形成该阴极接头。

10.如权利要求8所述的检测试片的制造方法，其特征在于该放大电路以及该电极层均采用曝光微影蚀刻制程形成于该绝缘基板上。