[发明专利]边耦合半导体激光器的制造方法

权利要求书

1.边耦合半导体激光器的制造方法，其特征是在n型磷化铟衬底材料上外延生长n型缓冲层；

1）在外延n型缓冲层表面生长一层二氧化硅；

2）用全息曝光将光栅制作到半导体表面沉积的二氧化硅中：先用全息曝光的方式在光刻胶上曝光显影出光栅图形；然后用湿法或干法刻蚀，将光栅从光刻胶转移到二氧化硅层并去除残余光刻胶）；之后用光刻方式在光刻胶上形成脊条波导；随后用湿法或干法刻蚀去掉未被光刻胶掩盖的脊条外二氧化硅，并暴露出将被大范围刻蚀的半导体表面；在不去掉光刻胶的情况下，使用纯氧气干法刻蚀，去掉一定厚度的侧壁光刻胶，之前被光刻胶遮盖的部分二氧化硅光栅图形暴露在外；此时形成由两层材料构成的掩膜版：光刻胶部分，掩盖脊条中心区域，两侧暴露的二氧化硅，作为侧壁光栅的掩膜版；应用干法刻蚀对半导体材料进行腐蚀即刻蚀半导体材料至有源区上部，之后去掉用作掩膜版的二氧化硅和光刻胶，形成带有侧壁光栅的脊条；

3）生长二氧化硅绝缘层并在脊条顶部开出窗口并制作电极；首先用PECVD生长一层二氧化硅绝缘层做电绝缘材料。之后在脊条顶部打开窗口；之后镀上金属正电极，然后对衬底进行减薄，制备背电极；解理后得到激光器器件。

2.根据权利要求1的边耦合DFB半导体激光器，其特征是量子阱材是InP/InGaAsP材料体系。

3.根据权利要求1的边耦合DFB半导体激光器，其特征是量子阱材是InP/AlGaInAs材料体系。

4.根据权利要求2或3所述的边耦合DFB半导体激光器，其激光器激射波长在1250-1700纳米之间。

5.根据权利要求1的边耦合DFB半导体激光器，其特征是光栅刻蚀的深度由干法刻蚀半导体材料的时间控制。脊条的宽度由光刻控制。光栅的宽度由对光刻胶侧壁选择性去除控制。

6.根据权利要求1的边耦合DFB半导体激光器，其特征是光栅刻蚀能够选择穿过量子阱，或者停留在量子阱上方。